[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及显示装置

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成非晶硅薄膜；

形成覆盖所述非晶硅薄膜的氧化硅薄膜的图形，其中，位于预设区域内的所述氧化硅薄膜的厚度大于除了所述预设区域之外其它区域内的氧化硅薄膜的厚度；其中，位于所述预设区域内的氧化硅薄膜的厚度为5nm～20nm；

采用准分子激光照射所述氧化硅薄膜，使所述非晶硅薄膜形成初始多晶硅薄膜，其中，位于所述预设区域内的初始多晶硅薄膜为目标低温多晶硅薄膜；

在所述非晶硅薄膜形成初始多晶硅薄膜之后，还包括：

去除所述初始多晶硅薄膜上方的氧化硅薄膜；

对所述初始多晶硅薄膜进行氢化处理；

对经过氢化处理后的初始多晶硅薄膜进行构图，保留位于所述预设区域内的初始多晶硅薄膜，去除除了所述预设区域之外其它区域内的初始多晶硅薄膜，得到目标低温多晶硅薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，位于除了所述预设区域之外其它区域内的氧化硅薄膜的厚度是位于所述预设区域内的所述氧化硅薄膜的厚度1/2。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在去除所述初始多晶硅薄膜上方的氧化硅薄膜之后，对经过氢化处理后的初始多晶硅薄膜进行构图之前，还包括：

对所述初始多晶硅薄膜表面进行光滑化处理。

4.权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化硅薄膜的材料为二氧化硅。

5.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，形成覆盖所述非晶硅薄膜的氧化硅薄膜的图形，具体包括：

在所述非晶硅薄膜上形成氧化硅薄膜；

在所述氧化硅薄膜上涂覆光刻胶层，使用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影，得到光刻胶完全保留区域和光刻胶部分保留区域，且所述光刻胶完全保留区域对应于所述预设区域；

对光刻胶完全保留区域和光刻胶部分保留区域进行刻蚀，形成氧化硅薄膜的图形。

6.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，在形成非晶硅薄膜之后，形成覆盖所述非晶硅薄膜的氧化硅薄膜的图形之前，还包括：

对所述非晶硅薄膜的表面进行氢化处理和清洗处理。

7.一种低温多晶硅薄膜，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜由权利要求1-6任一项所述的制备方法制备而成。

8.一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上形成相互绝缘的有源层和栅电极的图形，以及分别与所述有源层电连接的源电极和漏电极的图形，其特征在于，所述有源层为低温多晶硅薄膜，所述低温多晶硅薄膜采用如权利要求1-6任一项所述的制备方法制备而成，且所述预设区域为所述有源层所在的区域。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管由权利要求8所述的制备方法制备而成。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求9所述的薄膜晶体管。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。