[发明专利]LED结构及其制作方法、发光方法

权利要求书

1.一种LED结构制作方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底，所述第一衬底包括第一表面和第二表面，其中，所述第一表面和/或第二表面上具有多个凸形结构，每个表面上的多个凸形结构组成凸面聚光体阵列；

在所述第一表面上顺次形成N型层、有源层及P型层；

去除部分P型层、有源层及N型层，以形成N区台面结构；

形成电流阻挡层，所述电流阻挡层覆盖部分P型层以及N区台面结构的侧壁，以在所述P型层上形成有效电极区阵列，其中，每个有效电极区的中心与一凸形结构的中心相对应；

形成电极层，所述电极层覆盖所述电流阻挡层及有效电极区阵列，以在有源层中形成准点光源阵列，每个准点光源与对应的一凸面聚光体的焦点重合；

形成多个半球形支撑结构，所述多个半球形支撑结构露出部分电极层，每个半球形支撑结构覆盖一准点光源，每个半球形支撑结构的球心与对应的一准点光源重合；

形成反射层，所述反射层覆盖多个半球形支撑结构及露出的部分电极层；

在所述N区台面结构中形成槽口结构；

在所述反射层上形成P电极，在所述槽口结构中形成N电极；

提供第二衬底，所述第二衬底包括P极区以及与所述P极区绝缘分离的N极区；

将所述P电极与所述P极区键合在一起，所述N电极与所述N极区键合在一起。

2.如权利要求1所述的LED结构制作方法，其特征在于，在提供第一衬底之后，在所述第一表面上顺次形成N型层、有源层及P型层之前，还包括：

在所述第一表面上形成缓冲层。

3.如权利要求1所述的LED结构制作方法，其特征在于，在去除部分P型层、有源层及N型层，以形成N区台面结构中，剩余的P型层、有源层及N型层形成“凸”字形结构。

4.如权利要求3所述的LED结构制作方法，其特征在于，所述N型层去除部分的厚度为N型层厚度的30％～70％。

5.如权利要求1所述的LED结构制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层的材料为二氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的一种或多种组合。

6.如权利要求1所述的LED结构制作方法，其特征在于，所述电极层为透明导电层。

7.如权利要求6所述的LED结构制作方法，其特征在于，所述电极层的材料为镍金合金和铟锡氧化物中的一种或多种组合。

8.如权利要求1所述的LED结构制作方法，其特征在于，形成多个半球形支撑结构，多个半球形支撑结构露出部分电极层，每个半球形支撑结构覆盖一准点光源，每个半球形支撑结构的球心与对应的一准点光源重合包括：

形成支撑材料层，所述支撑材料层覆盖所述电极层、电流阻挡层及N区台面结构；

对所述支撑材料层执行抛光工艺；

在所述支撑材料层上形成图形化光刻胶阵列，所述图形化光刻胶阵列与所述有效电极区阵列对应；

对所述图形化光刻胶阵列执行烘烤工艺，使得每个图形化光刻胶的形状为半球形；

对所述图形化光刻胶阵列以及支撑材料层执行同比刻蚀工艺，形成多个半球形支撑结构。

9.如权利要求8所述的LED结构制作方法，其特征在于，所述支撑材料层的材料为二氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的一种或多种组合。

10.如权利要求1所述的LED结构制作方法，其特征在于，所述反射层的材料为银。

11.如权利要求1所述的LED结构制作方法，其特征在于，在形成多个半球形支撑结构之后，形成反射层之前，还包括：

形成欧姆接触层，所述欧姆接触层覆盖多个半球形支撑结构及露出的部分电极层。

12.如权利要求11所述的LED结构制作方法，其特征在于，所述欧姆接触层的材料为镍。

13.如权利要求1所述的LED结构制作方法，其特征在于，所述P电极及N电极均包括：欧姆接触层、位于所述欧姆接触层上的防扩散层及位于所述防扩散层上的电极功能层。

14.如权利要求13所述的LED结构制作方法，其特征在于，所述欧姆接触层的材料为镍和铬中的至少一种；所述防扩散层的材料为钛、铂和镍中的至少一种；所述电极功能层的材料为铝、金和铜中的至少一种。