[发明专利]三维封装芯片硅通孔的测试装置在审
| 申请号: | 201510093603.5 | 申请日: | 2015-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN104701206A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
| 发明(设计)人: | 余琨;祁建华;张志勇;叶守银;刘远华;罗斌 | 申请(专利权)人: | 上海华岭集成电路技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 三维 封装 芯片 硅通孔 测试 装置 | ||
1.一种三维封装芯片硅通孔的测试装置,其特征在于,包括:测试部件、探针台、控制器、第一测试信号线及第二测试信号线,其中,所述测试部件上设有一探针卡,所述探针台内设有一用于承载待测晶圆的载片台,所述探针卡和载片台正对,所述探针卡连接所述第一测试信号线,所述载片台连接所述第二测试信号线,所述第一测试信号线和第二测试信号线相连,所述控制器与所述测试部件和探针台分别信号连接。
2.如权利要求1所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置,其特征在于,所述第一测试信号线和第二测试信号均包括信号施加线和信号感知线,所述信号感知线为高阻线。
3.如权利要求2所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置,其特征在于,所述载片台均匀连接4对第二测试信号线。
4.如权利要求1所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置,其特征在于,所述探针台一侧壁设有开孔,固定一连接部件,所述第一测试信号线和第二测试信号线的一端均固定在所述连接部件内。
5.如权利要求1所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置,其特征在于,所述控制器与所述探针台之间的通信协议为GPIB。
6.如权利要求1所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置,其特征在于,所述载片台上设有若干个均匀分布的气孔。
7.如权利要求6所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置,其特征在于,所述气孔的直径小于所述待测晶圆上硅通孔的直径。
8.如权利要求1所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置,其特征在于,所述控制器与所述测试部件之间的通信协议为TCIO。
9.如权利要求1所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置,其特征在于,所述测试部件上还设有测试负载板和连接板,所述探针卡通过所述连接板连接在所述测试负载板上,所述测试负载板固定在所述测试部件上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





