[发明专利]具有可控电阻率的耐等离子体腐蚀陶瓷

权利要求书

1.一种含陶瓷制品，能抵抗半导体处理中使用的含卤素等离子体的侵蚀，并且所述含陶瓷制品在从约350℃至室温范围内的温度下呈现在约10⁷到10¹⁵Ω-cm范围内的可控电阻率，所述陶瓷制品具有表面，所述表面包含至少一种固溶体，所述至少一种固溶体包含氧化钇，并且其中包含氧化钇的至少一种固溶体还包含选自由氧化锆、氧化铪、氧化钪、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及上述氧化物的组合组成的组的一种或多种氧化物。

2.根据权利要求1所述的含陶瓷制品，其中其它镧系元素氧化物包括于所述陶瓷制品中。

3.根据权利要求1所述的含陶瓷制品，其中两种氧化物用于形成所述至少一种固溶体，所述至少一种固溶体包含氧化钇和其它氧化物，以及其中所述其它氧化物选自由氧化锆、氧化铈、氧化铪和氧化铌组成的组。

4.根据权利要求3所述的含陶瓷制品，其中氧化钪、氧化钐、氧化镱、氧化铒或其它镧系元素氧化物包括于所述陶瓷制品中。

5.根据权利要求1所述的含陶瓷制品，其中多于两种的前驱物氧化物用于形成包含氧化钇的所述固溶体，以及其中所述前驱物氧化物包括氧化锆以及选自由氧化铪、氧化钪、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及上述氧化物组合组成的组的其它氧化物。

6.根据权利要求5所述的含陶瓷制品，其中其它镧系元素包括于所述含陶瓷制品中。

7.根据权利要求3所述的含陶瓷制品，其中所述陶瓷由在从约40％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度下的氧化钇，和在从高于0％摩尔分数到约60％摩尔分数范围内的浓度下的氧化锆形成。

8.根据权利要求3所述的含陶瓷制品，其中所述陶瓷由在从约40％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度下的氧化钇，和在从高于0％摩尔分数到约60％摩尔分数范围内的浓度下的氧化铈形成。

9.根据权利要求3所述的含陶瓷制品，其中所述陶瓷由在从约40％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度下的氧化钇，和在从高于0％摩尔分数到约60％摩尔分数范围内的浓度下的氧化铪形成。

10.根据权利要求3所述的含陶瓷制品，其中所述陶瓷由在从约40％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度下的氧化钇，和在从高于0％摩尔分数到约60％摩尔分数范围内的浓度下的氧化铌形成。

11.根据权利要求5所述的含陶瓷制品，其中所述氧化钇存在从约40％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度，以及氧化锆存在从高于0％摩尔分数到约20％摩尔分数范围内的浓度，以及氧化钪存在从高于0％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度。

12.根据权利要求5所述的含陶瓷制品，其中所述氧化钇存在从约70％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度，以及氧化锆存在从高于0％摩尔分数到约17％摩尔分数范围内的浓度，以及氧化铪存在从高于0％摩尔分数到约27％摩尔分数范围内的浓度。

13.根据权利要求5所述的含陶瓷制品，其中所述制品由三相烧结陶瓷形成，所述三相烧结陶瓷包括包含Y₂O₃-ZrO₂-Nb₂O₅的第一相固溶体，占所述烧结陶瓷材料的约60％到约90％之间的摩尔分数；第二相Y₃NbO₇，占所述烧结陶瓷材料的约5％到约30％之间的摩尔分数；以及元素形式的第三相Nb，占所述烧结陶瓷材料的约1％到约10％之间的摩尔分数。

14.根据权利要求1所述的含陶瓷制品，其中所述制品为静电夹盘或衬底升降杆外形或其它制品形式，所述制品需要从约350℃到室温范围内的温度下从约10⁷到10¹⁵Ω-cm范围内电阻率。

15.根据权利要求1所述的含陶瓷制品，其中所述制品为在半导体处理腔室内部使用的内部组件或衬垫形式，以及其中所述陶瓷制品的所述电阻率是在约350℃至室温下约10⁷到10¹⁵Ω-cm范围内。

16.根据权利要求1所述的含陶瓷制品，其中所述制品为固体烧结陶瓷制品。