[发明专利]一种混频锁相的高相噪宽带微波源

权利要求书

1.  一种混频锁相的高相噪宽带微波源，其特征在于，包括屏蔽盒体、位于屏蔽盒体内的基板和安装在基板上的微波电路，所述微波电路包括频综、耦合器、LO本振和混频器，其中的频综与耦合器相连，处理后的信号从耦合器输出，LO本振和混频器连接，在耦合器和混频器之间依次连接低噪声放大器b和低通滤波器c，混频器向前传输信号依次连接低通滤波器b、低噪声放大器a、低通滤波器a和频综上的锁相环电路；所述LO本振由晶振依次经过低噪声放大器c、倍频电路、带通滤波器a、低噪声放大器d和带通滤波器b处理后得到，其中的晶振还与频综上的锁相环电路连接。

2.根据权利要求1所述的一种混频锁相的高相噪宽带微波源，其特征在于，所述屏蔽盒体包括两个，分别为盒体a和盒体b，盒体b位于盒体a中，整个微波电路均位于盒体a中，其中微波电路上的倍频电路、带通滤波器a、低噪声放大器d和带通滤波器b还位于盒体b中。

3.根据权利要求2所述的一种混频锁相的高相噪宽带微波源，其特征在于，位于盒体b中的电路与位于盒体a中的电路之间通过射频同轴连接器SMA连接。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种混频锁相的高相噪宽带微波源，其特征在于，所述锁相环电路为单片集成锁相环芯片。

5.根据权利要求4所述的一种混频锁相的高相噪宽带微波源，其特征在于，所述晶振为温补晶振。

6.根据权利要求5所述的一种混频锁相的高相噪宽带微波源，其特征在于，所述基板为宽介电常数罗杰斯覆铜箔基板。

7.根据权利要求6所述的一种混频锁相的高相噪宽带微波源，其特征在于，所述压控振荡器、倍频器、带通滤波器a、带通滤波器b、低通滤波器a、低通滤波器b和低通滤波器c均为表贴封装的MMIC芯片。

8.根据权利要求7所述的一种混频锁相的高相噪宽带微波源，其特征在于，所述频综包括依次连接的控制器、锁相环电路和压控振荡器，压控振荡器和耦合器连接。

9.根据权利要求8所述的一种混频锁相的高相噪宽带微波源，其特征在于，所述控制器为FPGA控制器。

10.根据权利要求1所述的一种混频锁相的高相噪宽带微波源，其特征在于，所述屏蔽盒体为铝质屏蔽盒体。