[发明专利]免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺在审
| 申请号： | 201510090226.X | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104637870A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 薛恺;李昭强;张文奇 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmp 工艺 硅通孔 背面 漏孔 | ||
1.一种免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺，其特征在于，包括下述步骤：
S1.提供一完成正面工艺的器件晶圆(100)；器件晶圆(100)包括衬底(1)和衬底(1)中的TSV盲孔(2)；
S2.提供一载片晶圆(200)，利用临时键合工艺将器件晶圆(100)正面与载片晶圆(200)进行键合，形成临时键合体；
S3.对器件晶圆(100)的衬底(1)背面进行机械研磨，从而进行减薄；
S4.对衬底(1)背面进行刻蚀，使得TSV盲孔(2)露出衬底(1)背面；
S5.在器件晶圆(100)的衬底(1)背面涂覆背面介质层(7)，完全覆盖步骤S4中TSV盲孔(2)露出部分；
S6.利用机械研磨工艺处理背面介质层(7)，使得TSV盲孔(2)从背面介质层(7)中露出。
2.如权利要求1所述的免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺，其特征在于：
步骤S2中，所提供的载片晶圆(200)的厚度均匀性小于5μm。
3.如权利要求1所述的免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺，其特征在于：
步骤3中，衬底(1)背面研磨后临时键合体的厚度均匀性小于8μm。
4.如权利要求1所述的免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺，其特征在于：
步骤S4中刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。
5.如权利要求1所述的免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺，其特征在于：
步骤S4中，TSV盲孔(2)露出衬底(1)背面的高度h<5μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
