[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，包括：

处理室，对衬底进行处理；

衬底载置台，设于所述处理室，将多个衬底呈圆周状载置；

旋转部，使所述衬底载置台旋转；

第一气体供给部，从所述衬底载置台的上方供给第一气体；

第二气体供给部，从所述衬底载置台的上方供给第二气体；

第三气体供给部，从所述衬底载置台的上方供给清洁气体；以及

升降部，其被控制为：在供给所述第一气体和所述第二气体期间，将所述衬底载置台维持于衬底处理位置，在供给所述清洁气体期间，将所述衬底载置台维持于清洁位置，

所述清洁位置设定为比所述衬底处理位置低的位置。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，

所述衬底处理位置下的所述衬底载置台表面与从所述处理室的顶板突出的凸状部件之间的距离，小于所述清洁位置下的所述衬底载置台表面与从所述处理室的顶板突出的凸状部件之间的距离。

3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

所述凸状部件是所述第一气体供给部、第二气体供给部和第三气体供给部中的任一个。

4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，

所述衬底处理位置下的所述衬底载置台表面与所述处理室的顶板之间的距离，小于所述清洁位置下的所述衬底载置台表面与所述处理室的顶板之间的距离。

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，

所述第三气体供给部在所述衬底载置台被维持于衬底处理位置的期间，向所述处理室供给惰性气体，在所述衬底载置台被维持于所述清洁位置的期间，向所述处理室供给清洁气体。

6.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

所述第三气体供给部在所述衬底载置台被维持于衬底处理位置的期间，向所述处理室供给惰性气体，在所述衬底载置台被维持于所述清洁位置的期间，向所述处理室供给清洁气体。

7.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其中，

所述第三气体供给部在所述衬底载置台被维持于衬底处理位置的期间，向所述处理室供给惰性气体，在所述衬底载置台被维持于所述清洁位置的期间，向所述处理室供给清洁气体。

8.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，

所述第三气体供给部在所述衬底载置台被维持于衬底处理位置的期间，向所述处理室供给惰性气体，在所述衬底载置台被维持于所述清洁位置的期间，向所述处理室供给清洁气体。

9.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，

在将所述衬底载置台维持在所述清洁位置，并从所述第三气体供给部供给清洁气体的期间，从所述第一气体供给部和所述第二气体供给部中的任一方或双方供给惰性气体。

10.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

在将所述衬底载置台维持在所述清洁位置，并从所述第三气体供给部供给清洁气体的期间，从所述第一气体供给部和所述第二气体供给部中的任一方或双方供给惰性气体。

11.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其中，

在将所述衬底载置台维持在所述清洁位置，并从所述第三气体供给部供给清洁气体的期间，从所述第一气体供给部和所述第二气体供给部中的任一方或双方供给惰性气体。

12.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，

在将所述衬底载置台维持在所述清洁位置，并从所述第三气体供给部供给清洁气体的期间，从所述第一气体供给部和所述第二气体供给部中的任一方或双方供给惰性气体。

13.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，

在将所述衬底载置台维持在所述清洁位置，并从所述第三气体供给部供给清洁气体的期间，从所述第一气体供给部和所述第二气体供给部中的任一方或双方供给惰性气体。

14.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，

所述第一气体供给部具有第一气体供给孔，所述第二气体供给部具有第二气体供给孔，所述第三气体供给部具有第三气体供给孔，在所述处理室的上方，呈圆周状地配置有所述第一气体供给孔和所述第二气体供给孔的组合且配置多个组合，所述第三气体供给孔配置于所述第一气体供给孔与所述第二气体供给孔之间。