[发明专利]高频等离子体处理装置和高频等离子体处理方法有效
申请号: | 201510090022.6 | 申请日: | 2015-02-27 |
公开(公告)号: | CN104882376B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 东条利洋;佐佐木和男 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/66 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 等离子体 处理 装置 方法 | ||
1.一种高频等离子体处理装置,其具有与绝缘物接触的电极,对所述电极施加高频电力,利用由此生成的等离子体对基板进行等离子体处理,所述高频等离子体处理装置的特征在于,包括:
对基板进行等离子体处理的处理室;
收纳与所述绝缘物接触的状态的所述电极的电极收纳部;
对所述电极施加高频电力的高频电源;和
湿度调整单元,其调整所述电极收纳部内的湿度,使得不在所述电极收纳部内产生沿面放电,
所述湿度调整单元具有对所述电极收纳部供给干燥气体的干燥气体供给机构,
所述高频等离子体处理装置还包括:
测定所述电极收纳部内的湿度的湿度计;和
放电防止部,其在干燥气体从所述干燥气体供给机构供给至所述电极收纳部时,在所述湿度计的测定值超过规定的阈值的情况下,不允许所述高频电源的动作,在所述湿度计的测定值在所述阈值以下的情况下,允许所述高频电源的动作。
2.如权利要求1所述的高频等离子体处理装置,其特征在于:
所述高频等离子体处理装置为感应耦合等离子体处理装置,
所述电极为在所述处理室内形成感应磁场的高频天线,
所述电极收纳部是设置在所述处理室的上方的用于收纳所述高频天线的天线室。
3.一种高频等离子体处理装置,其具有与绝缘物接触的电极,对所述电极施加高频电力,利用由此生成的等离子体对基板进行等离子体处理,所述高频等离子体处理装置的特征在于,包括:
对基板进行等离子体处理的处理室;
收纳与所述绝缘物接触的状态的所述电极的电极收纳部;
对所述电极施加高频电力的高频电源;和
湿度调整单元,其调整所述电极收纳部内的湿度,使得不在所述电极收纳部内产生沿面放电,
所述湿度调整单元具有对所述电极收纳部供给干燥气体的干燥气体供给机构,
所述高频等离子体处理装置还包括:
测定在对所述电极收纳部供给所述干燥气体时的流量的流量传感器;和
放电防止部,其设定有以规定流量使干燥气体从干燥气体供给机构流到所述电极收纳部时的所述电极收纳部内的湿度成为规定的阈值以下为止的所需时间,在所述流量传感器成为所述规定流量后直至经过所述所需时间为止不允许所述高频电源的动作,在经过所述所需时间后允许所述高频电源的动作。
4.如权利要求3所述的高频等离子体处理装置,其特征在于:
所述放电防止部,通过所述流量传感器检测干燥气体的流量异常,在该干燥气体的流量异常持续的时间超过规定时间的情况下,不允许所述高频电源的动作。
5.如权利要求3或4所述的高频等离子体处理装置,其特征在于:
所述高频等离子体处理装置为感应耦合等离子体处理装置,
所述电极为在所述处理室内形成感应磁场的高频天线,
所述电极收纳部是设置在所述处理室的上方的用于收纳所述高频天线的天线室。
6.一种高频等离子体处理方法,其从高频电源对与绝缘物接触的电极施加高频电力,利用由此生成的等离子体对处理室内的基板进行等离子体处理,所述高频等离子体处理方法的特征在于:
将与所述绝缘物接触的状态的所述电极收纳在电极收纳部,
对所述电极收纳部内的湿度进行调整使得不在所述电极收纳部内产生沿面放电,并且进行等离子体处理,
所述湿度的调整通过对所述电极收纳部供给干燥气体而进行,
利用湿度计测定所述电极收纳部内的湿度,
在干燥气体供给到所述电极收纳部时,在所述湿度计的测定值超过规定的阈值的情况下,不允许所述高频电源的动作,在所述湿度计的测定值在所述阈值以下的情况下,允许所述高频电源的动作。
7.如权利要求6所述的高频等离子体处理方法,其特征在于:
施加所述高频电力而生成的所述等离子体为感应耦合等离子体,
所述电极为在所述处理室内形成感应磁场的高频天线,
所述电极收纳部为设置在所述处理室的上方的用于收纳所述高频天线的天线室。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510090022.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:元件封装方法及其结构
- 下一篇:晶体管T形栅的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造