[发明专利]光致抗蚀剂组合物及使用其制造显示基板的方法

说明书

技术领域

示例性实施方式涉及光致抗蚀剂组合物。更特别地，示例性实施方式涉及光致抗蚀剂组合物和使用光致抗蚀剂组合物制造显示基板的方法。

背景技术

一般来说，用于显示器件的显示基板可以包括可以用作用于驱动像素单元的开关元件的薄膜晶体管、连接至薄膜晶体管的信号线、以及像素电极。信号线可以包括提供栅极信号的栅极线和横过栅极线并且提供数据信号的数据线。

发明内容

光致抗蚀剂组合物可以包含通过包括甲酚混合物、二甲苯酚和水杨醛的单体混合物的缩合反应制备的酚醛清漆树脂(novolak resin)；二叠氮化物类光敏剂(diazide-based photo-sensitizer)；以及溶剂。

光致抗蚀剂组合物可以包含按重量计约5％至约30％的酚醛清漆树脂、按重量计约2％至约10％的二叠氮化物类光敏剂、以及余量的溶剂。

酚醛清漆树脂可以由以下化学式1表示：

<化学式1>

其中，n、m、p和q表示摩尔分数(％)并且可以独立地大于0，并且n、m、p和q的总和可以是100。

酚醛清漆树脂的重均分子量范围可以从约10,000g/mol至约25,000g/mol。

单体混合物可以包含按重量计约20％至约50％的甲酚混合物、按重量计约20％至约30％的二甲苯酚、以及按重量计约30％至约50％的水杨醛。

甲酚混合物可以以范围从约7:3至约3:7的重量比包含间甲酚和对甲酚。

二叠氮化物类光敏剂可以包括2,3,4-三羟基二苯甲酮-1,2-二叠氮萘醌-5-磺酸酯(2,3,4-三羟基二苯甲酮-1,2-重氮萘醌-5-磺酸酯，2,3,4-三羟基二苯甲酮-1,2-二叠氮基萘醌-5-磺酸酯，2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate)和2,3,4,4-四羟基二苯甲酮-1,2-二叠氮萘醌-5-磺酸酯(2,3,4,4-四羟基二苯甲酮-1,2-重氮萘醌-5-磺酸酯，2,3,4,4-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate)中的至少一种。

溶剂可以包括二醇醚(乙二醇醚)、乙二醇烷基醚乙酸酯(ethylene glycol alkyl ether acetate)、以及二乙二醇中的至少一种。

光致抗蚀剂组合物可以进一步包含按重量计约0.1％至约3％的包括表面活性剂和粘附增强剂(adhesion enhancer)的添加剂。

制造显示基板的方法可以包括：在基底基板(基础基板，base substrate)上形成包括栅电极的栅极金属图案，形成覆盖栅极金属图案的栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成源极金属层，在源极金属层上涂覆光致抗蚀剂组合物以形成光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层显影以形成第一光致抗蚀剂图案；以及使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻源极金属层和氧化物半导体层以形成源极金属图案和有源图案(active pattern)。

蚀刻源极金属层和氧化物半导体层可以包括：使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模湿法蚀刻(湿蚀刻)源极金属层，部分去除第一光致抗蚀剂图案以形成部分暴露源极金属层的第二光致抗蚀剂图案，以及使用第二光致抗蚀剂图案作为掩模干法蚀刻(干蚀刻)源极金属层和氧化物半导体层以形成源极金属图案和有源图案。

源极金属层可以具有钼/铝/钼的三层结构(三重层状结构，triple-layered structure)。

半导体层可以包括非晶硅。

制造显示基板的方法可以包括：在基底基板上形成薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、有源图案、源电极和漏电极，形成电连接至漏电极的第一电极，将光致抗蚀剂组合物涂覆在第一电极上以形成牺牲层(sacrificial layer)，形成覆盖牺牲层的绝缘层，在绝缘层上形成第二电极，去除牺牲层以形成腔体(空腔，cavity)，以及在腔体中提供液晶层。

去除牺牲层可以包括：将牺牲层暴露于光，以及向牺牲层提供显影液(显影溶液)。

附图说明

参照附图，通过详细地描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见，其中：

图1至8示出了说明根据示例性实施方式制造显示基板的方法的截面图。