[发明专利]集成电路、密码生成的方法以及数据交换的方法有效
申请号: | 201510088132.9 | 申请日: | 2015-02-26 |
公开(公告)号: | CN105323071B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 渡边浩志 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
主分类号: | H04L9/32 | 分类号: | H04L9/32;H04L9/08 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 密码 生成 方法 以及 数据 交换 | ||
1.一种集成电路,其特征在于,包括:
至少一个第一输入/输出端;
至少一个电流路径,所述至少一电流路径与所述至少一第一输入/输出端相连接;
至少一个控制端,所述控制端设置在所述至少一个电流路径之上,经配置以将多个控制端电压施加在所述至少一个电流路径上;以及
至少一个第二输入/输出端,所述至少一第二输入/输出端与所述至少一电流路径相连接,
其中至少一电流调整元件配置于所述至少一电流路径以调整电流,
其中所述至少一电流调整元件包括至少一晶界,其中所述至少一电流路径中的所述电流经由调整所述至少一晶界配置于所述至少一电流路径中的位置而被调整。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述至少一电流调整元件包括至少一掺杂离子、以及根据德布洛伊长度(DBL)定义的电流路径的宽度或厚度中的任一者,且该电流路径的长度长于该电流路径的宽度。
3.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,该电流路径的长度介于该电流路径的平均晶粒宽度与三倍的该电流路径的平均晶粒宽度之间。
4.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,该电流路径的厚度小于该电流路径的平均晶粒宽度。
5.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,该晶界位于接近所述至少一第一输入/输出端以及所述至少一第二输入/输出端。
6.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,还包括:
至少一个感应放大器,所述感应放大器与所述至少一个第二输入/输出端相连接,经配置以感应来自所述至少一个第二输入/输出端的电流,并根据所述控制端电压中的其中之一来判定出一阈值电压;以及
一处理电路,所述处理电路经配置以将由相应的感应放大器判定出的每一个阈值电压分类成一第一状态和一第二状态,并在一映射表中的地址上标记每一个阈值电压的状态。
7.一种集成电路,其特征在于,包括:
多个半导体单元,每一个半导体单元经配置以表示一映射表中的一地址且包括一第一输入/输出端、一第二输入/输出端、一电流路径以及一控制端,其中至少一电流调整元件配置于至少一电流路径中以调整电流,其中所述至少一电流调整元件包括至少一晶界;
多个感应放大器,每一个感应放大器连接至所述第二输入/输出端且经配置以感应来自所述第二输入/输出端的电流,并判定出相应的半导体单元的一阈值电压;以及
一处理电路,所述处理电路经配置以将由相应的感应放大器判定出的每一个所述阈值电压分类成一第一状态和一第二状态,并在所述映射表中的相应地址上标记每一个所述阈值电压的状态。
8.根据权利要求7所述的集成电路,其特征在于,所述至少一电流调整元件包括至少一掺杂离子、以及根据德布洛伊长度(DBL)定义的电流路径的宽度或厚度中的任一者,且该电流路径的长度长于该电流路径的宽度。
9.根据权利要求7所述的集成电路,其特征在于,该电流路径的长度介于该电流路径的平均晶粒宽度与三倍的该电流路径的平均晶粒宽度之间。
10.根据权利要求7所述的集成电路,其特征在于,该电流路径的厚度小于该电流路径的平均晶粒宽度。
11.根据权利要求7所述的集成电路,其特征在于,该晶界位于接近所述至少一第一输入/输出端以及所述至少一第二输入/输出端。
12.根据权利要求7所述的集成电路,其特征在于,还包括:
一共同第一输入/输出端线,电性连接至该半导体单元的第一输入/输出端;以及
一共同字线,电性连接至该半导体单元的控制端。
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