[发明专利]制造用于热辅助磁记录光输送的干涉测量锥形波导管的方法

权利要求书

1.制造波导管的方法，所述方法包括：

沉积薄膜堆栈，所述薄膜堆栈包括第一硬掩模层、第二硬掩模层、第一包层、芯层和第二包层；

在光敏抗蚀剂层中限定第一图案；

转移所述第一图案至所述第一硬掩模层；

去除所述光敏抗蚀剂层；

形成从所述第一硬掩模层中的所述第一图案图案化的在所述第二硬掩模层中的第二图案；

转移所述第二图案至所述芯层；和

使所述波导管的顶表面平面化。

2.权利要求1所述的方法，其中所述芯层被沉积在所述第二包层上，所述第一包层被沉积在所述芯层上，所述第二硬掩模层被沉积在所述第一包层上，并且所述第一硬掩模层被沉积在所述第二硬掩模层上。

3.权利要求1所述的方法，其中所述第一硬掩模层包含Ta₂O₅或Ta，所述第二硬掩模层包含Cr或Ru，所述第一包层包含SiO₂，所述芯层包含Ta₂O₅，并且所述第二包层包含SiO₂。

4.权利要求1所述的方法，其中所述在所述光敏抗蚀剂中限定第一图案包括深紫外光刻。

5.权利要求1所述的方法，其中所述转移所述第一图案至所述第一硬掩模层包括反应离子蚀刻。

6.权利要求1所述的方法，其中所述形成在所述第二硬掩模层中的所述第二图案包括反应离子蚀刻。

7.权利要求1所述的方法，其中所述转移所述第二图案至所述芯层包括反应离子蚀刻。

8.权利要求7所述的方法，进一步包括再填充通过所述反应离子蚀刻去除的包层材料。

9.权利要求1所述的方法，其中所述使所述波导管的顶表面平面化包括化学机械平面化。

10.权利要求1所述的制造波导管的方法，进一步包括使用湿蚀刻去除所述第二硬掩模层。

11.制造干涉测量锥形波导管(I-TWG)的方法，所述方法包括：

沉积薄膜堆栈，所述薄膜堆栈包括多个硬掩模层和包层-芯夹层，其中所述多个硬掩模层位于所述包层-芯夹层上，并且所述包层-芯夹层包括顶部包层、底部包层和位于所述顶部包层和所述底部包层之间的芯层；

在顶部硬掩模层上离心浇铸光敏抗蚀剂层；

利用第一微细加工工艺在所述光敏抗蚀剂层中限定I-TWG图案；

利用第二微细加工工艺将所述I-TWG图案转移到所述顶部硬掩模层；

去除所述光敏抗蚀剂；

利用第三微细加工工艺在底部硬掩模层中形成所述I-TWG图案；

利用第四微细加工工艺将所述I-TWG图案转移到所述芯层；

再填充包层材料；

利用第五微细加工工艺去除过量的包层材料；

利用第六微细加工工艺使所述I-TWG的顶表面平面化；和

利用第七微细加工工艺去除所述底部硬掩模层。

12.权利要求11所述的方法，其中所述多个硬掩模层的每一个包含Ta₂O₅、Ta、Cr或Ru。

13.权利要求11所述的方法，其中所述包层包含SiO₂并且所述芯层包含Ta₂O₅。

14.权利要求11所述的方法，其中所述第一微细加工工艺包括使用深紫外光刻。

15.权利要求11所述的方法，其中所述第二微细加工工艺、所述第三微细加工工艺和所述第四微细加工工艺每一个包括使用反应离子蚀刻。

16.权利要求11所述的方法，其中所述第五微细加工工艺包括使用波导蚀刻和反应离子蚀刻。

17.权利要求11所述的方法，其中所述第六微细加工工艺包括使用化学机械平面化。

18.权利要求11所述的方法，其中所述第七微细加工工艺包括使用湿蚀刻。

19.权利要求11所述的方法，其中所述I-TWG图案包括锥形波导管图案、定向耦合器图案和分光器图案。

20.制造干涉测量锥形波导管(I-TWG)的方法，所述方法包括以下步骤：

沉积薄膜堆栈，所述薄膜堆栈包括第一硬掩模层、第二硬掩模层、第一包层、芯层和第二包层；

在光敏抗蚀剂层中限定I-TWG图案，其中所述I-TWG图案包括锥形波导管图案、定向耦合器图案和分光器图案；

转移所述I-TWG图案至所述第一硬掩模层；

去除所述光敏抗蚀剂层；

使用所述第一硬掩模层作为模板从而在第二硬掩模层上形成所述I-TWG图案；

转移所述I-TWG图案至所述芯层；和

使所述波导管的顶表面平面化。