[发明专利]传感器以及用于制造传感器的方法有效
申请号: | 201510087121.9 | 申请日: | 2015-02-25 |
公开(公告)号: | CN104843630B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | J·赖因穆特 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耦合结构 微机电结构 衬底 传感器 移动 制造 | ||
1.一种传感器(1),其具有衬底(15)、微机电结构(13)和脱耦合结构(14),其中,所述脱耦合结构(14)固定在所述衬底(15)上,其中,所述微机电结构(13)固定在所述脱耦合结构(14)上,其中,所述微机电结构(13)和所述脱耦合结构(14)能够相对于所述衬底(15)移动,其特征在于,所述脱耦合结构(14)设置在所述微机电结构(13)和所述衬底(15)之间。
2.根据权利要求1所述的传感器(1),其特征在于,
仅仅所述脱耦合结构(14)弹簧弹性地连接在所述衬底(15)上,或者
所述微机电结构(13)和所述脱耦合结构(14)分别弹簧弹性地连接在所述衬底(15)上。
3.根据权利要求2所述的传感器(1),其特征在于,所述脱耦合结构(14)通过弹簧结构(16)连接在所述衬底(15)上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的传感器(1),其特征在于,所述微机电结构(13)通过介质绝缘层(17)与所述脱耦合结构(14)连接。
5.根据权利要求3所述的传感器(1),其特征在于,所述微机电结构(13)通过另一弹簧结构(21)固定在所述衬底(15)上。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的传感器(1),其特征在于,所述衬底(15)在朝向所述脱耦合结构(14)的一侧上具有通道结构(19)。
7.根据权利要求3所述的传感器(1),其特征在于,所述弹簧结构(16)如此配置,使得所述脱耦合结构(14)相对于所述衬底(15)的机械应力和/或相对于从外部施加到所述衬底(15)上的振荡脱耦合。
8.根据权利要求3所述的传感器(1),其特征在于,所述弹簧结构(16)配置用于借助挤压薄膜阻尼来阻尼所述衬底(15)的振荡。
9.根据权利要求5所述的传感器(1),其特征在于,所述另一弹簧结构(21)如此配置,使得所述微机电结构(13)通过所述另一弹簧结构(21)能够导电接通。
10.根据权利要求6所述的传感器(1),其特征在于,所述通道结构(19)主要沿着所述衬底(15)的主延伸面(100)在所述衬底(15)和所述脱耦合结构(14)之间的区域中延伸。
11.根据权利要求7所述的传感器(1),其特征在于,所述脱耦合结构(14)具有比所述弹簧结构(16)更大的机械刚性。
12.一种用于制造根据以上权利要求中任一项所述的传感器(1)的方法,其特征在于,在第一制造步骤中,在衬底(15)的一侧上产生延伸到所述衬底(15)中的通道结构(19),其中,在第四制造步骤中,在所述衬底的所述侧上设置脱耦合层(23),其中,脱耦合结构(14)由所述脱耦合层(23)构成,其中,在第七制造步骤中,在所述脱耦合层(23)上施加功能层(33),其中,由所述功能层(33)构成固定在所述脱耦合结构(14)上的微机电结构(13)。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,
所述脱耦合层(23)是施加在所述衬底(15)的所述侧上的硅层,或者,
所述脱耦合层(23)是借助键合方法与所述衬底(15)连接的另一衬底。
14.根据权利要求12或13所述的方法,其特征在于,在所述第七制造步骤中,使所述脱耦合结构(14)和所述微机电结构(13)暴露,以便所述微机电结构(13)和所述脱耦合结构(14)能够相对于所述衬底(15)移动。
15.根据权利要求12或13所述的方法,其特征在于,在第二制造步骤中,在所述衬底(15)的所述侧上和/或在所述脱耦合层(23)上施加介质层(22)。
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