[发明专利]连续铂层的无电沉积有效
申请号: | 201510084904.1 | 申请日: | 2015-02-16 |
公开(公告)号: | CN104851837B | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 尤金尼厄斯·诺尔库斯;阿尔冬娜·亚格米妮;阿宾娜·齐列内;伊娜·斯坦科维;洛蕾塔·塔玛萨凯特-塔玛修纳特;安鲁达哈·乔伊;耶兹迪·多尔迪 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 樊英如,李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连续 沉积 | ||
1.一种用于铂的无电沉积的溶液,其包括:
Ti3+离子;
Pt4+离子;和
NH4+离子以及柠檬酸盐离子或葡糖酸盐离子或酒石酸盐离子。
2.根据权利要求1所述的溶液,其中所述溶液具有介于6和10之间的pH
值,包含端值。
3.根据权利要求2所述的溶液,其还包括Cl-离子。
4.根据权利要求3所述的溶液,其中,所述Ti3+离子的浓度为25mM至75mM。
5.根据权利要求1所述的溶液,其中Ti3+与Pt4+离子的比例介于100:1至2:1之间。
6.根据权利要求1所述的溶液,其中所述溶液是没有硼、磷、肼和甲醛的。
7.一种用于提供含铂层的无电镀敷的方法,所述方法包括:
提供Ti3+稳定溶液;
提供Pt4+稳定溶液;
将所述Ti3+稳定溶液的流与所述Pt4+稳定溶液的流以及水混合以提供所述Ti3+稳定溶液与所述Pt4+稳定溶液的稀释的混合物;以及
将衬底暴露于所述Ti3+稳定溶液与所述Pt4+稳定溶液的所述稀释的混合物。
8.根据权利要求7所述的方法,其中将所述衬底暴露于所述Ti3+稳定溶液与所述Pt4+稳定溶液的所述稀释的混合物,包括:
提供介于10℃至40℃之间的溶液温度,包含端值;以及
提供介于6至10之间的pH值,包含端值。
9.根据权利要求8所述的方法,其中将所述衬底暴露于所述Ti3+稳定溶液与所述Pt4+稳定溶液的所述稀释的混合物提供浓度介于25mM至75mM之间的Ti3+。
10.根据权利要求9所述的方法,其还包括处置掉所述稀释的混合物。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述含铂层是99.9%的纯度的铂。
12.根据权利要求9所述的方法,其还包括重新激活所述稀释的混合物。
13.根据权利要求9所述的方法,其中所述Ti3+稳定溶液包括TiCl3和HCl的溶液。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述Pt4+稳定溶液包括H2PtCl6和氢氧化铵和葡糖酸三钠或葡糖酸的溶液。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述Ti3+稳定溶液进一步包括
NH4OH。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述Pt4+稳定溶液具有超过一个月的保质期。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述Ti3+稳定溶液具有超过一个月的保质期。
18.根据权利要求15所述的方法,其中所述稀释的混合物是没有硼、磷、肼和甲醛的。
19.根据权利要求7所述的方法,其中所述稀释的混合物是没有硼、磷、肼和甲醛的。
20.一种用于铂的无电沉积的溶液,其包括:
Ti3+离子;
Pt4+离子,其中Ti3+比Pt4+离子的比例介于100:1至2:1之间;和
NH4+离子以及柠檬酸盐离子或葡糖酸盐离子或酒石酸盐离子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造