[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，其中，具有：

使气体分散的簇射头；

处理容器，设置于所述簇射头的下游、并具有利用处理气体处理衬底的处理空间；

连接于所述簇射头的气体供给部；

连接于所述簇射头的簇射头气体排气部；和

捕获所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分的捕获部，

所述簇射头气体排气部具有：设置有簇射头排气用第一阀的第一排气管；和第二排气管，其连接于所述簇射头排气用第一阀的上游，并从上游起按顺序设置有簇射头排气用第二阀和所述捕获部，

在所述处理空间连接有处理空间排气部，所述处理空间排气部具有设置有处理空间排气用第一阀的第三排气管，

所述衬底处理装置进一步具有控制各结构的控制部，

所述控制部进行控制以进行如下的成膜工序，

所述成膜工序包括：

在衬底处于所述处理空间的状态下，一边供给原料气体一边从所述处理空间排气部对气氛进行排气的原料气体供给工序；

一边供给反应气体一边从所述处理空间排气部对气氛进行排气的反应气体供给工序；和

在所述原料气体供给工序与所述反应气体供给工序之间，在将所述簇射头排气用第一阀设为打开、将所述簇射头排气用第二阀设为关闭的状态下，对所述簇射头的气氛进行排气的簇射头排气工序，

进一步进行控制以进行捕获工序，所述捕获工序为在所述处理空间没有衬底的状态下，将所述簇射头排气用第一阀设为关闭、将所述簇射头排气用第二阀设为打开以捕获不同于所述处理气体的成分。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，

所述簇射头具有设置有气体导向件的盖和将所供给的气体分散的分散部。

3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

所述气体供给部具有：供给原料气体的原料气体供给系统；供给与所述原料气体反应的反应气体的反应气体供给系统；和供给惰性气体的惰性气体供给系统。

4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，

在所述第二排气管中在所述捕获部的下游设置有第一真空泵。

5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，

在所述第一排气管与所述第二排气管的下游连接有排气用共用排气管，在所述排气用共用排气管连接有能够在比所述第一真空泵高的压力范围内排气的第二真空泵。

6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，

所述控制部进行控制，使得所述捕获部在所述捕获工序期间工作。

7.一种半导体器件的制造方法，是将用簇射头分散了的处理气体供给到处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，包括：成膜工序和捕获工序，

所述成膜工序包括：

在衬底处于所述处理空间的状态下，一边供给原料气体一边从处理空间排气部对气氛进行排气的原料气体供给工序；一边供给反应气体一边从所述处理空间排气部对气氛进行排气的反应气体供给工序；和在所述原料气体供给工序与所述反应气体供给工序之间，在将簇射头排气用第一阀设为打开、将簇射头排气用第二阀设为关闭的状态下，对所述簇射头的气氛进行排气的簇射头排气工序，

所述捕获工序为在所述处理空间没有衬底的状态下，将所述簇射头排气用第一阀设为关闭、将所述簇射头排气用第二阀设为打开以捕获不同于所述处理气体的成分。