[发明专利]稳定性增强的物理不可克隆功能电路系统有效
申请号: | 201510081934.7 | 申请日: | 2015-02-15 |
公开(公告)号: | CN104852727B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | B·B·佩德森 | 申请(专利权)人: | 阿尔特拉公司 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稳定性 增强 物理 不可 克隆 功能 电路 系统 | ||
1.一种包括多个不同电路元件类型的电路系统,所述电路系统包括:
输出端;以及
耦接至所述输出端的给定电路元件类型的第一电路元件和第二电路元件,其中所述电路系统仅基于由所述给定类型的第一电路和第二电路汲取的相应电流测量所述第一电路元件与所述第二电路元件之间的变化,并且其中所述电路系统在所述输出端产生输出信号,所述输出信号具有基于由所述第一电路元件和所述第二电路元件中的一个汲取的所述相应电流的值。
2.根据权利要求1所述的电路系统,所述电路系统进一步包括:
预充电所述电路系统的所述输出端的预充电电路系统,其中所述预充电电路系统包括第一晶体管类型的晶体管,并且其中,所述第一电路元件和所述第二电路元件的所述给定电路元件类型包括不同于所述第一晶体管类型的第二晶体管类型。
3.根据权利要求2所述的电路系统,其中所述第一晶体管类型的所述晶体管包括N型晶体管,并且其中,所述第二晶体管类型的所述晶体管包括P型晶体管。
4.根据权利要求2所述的电路系统,其中所述第一晶体管类型的所述晶体管包括P型晶体管,并且其中,所述第二晶体管类型的所述晶体管包括N型晶体管。
5.根据权利要求2所述的电路系统,其中所述输出端包括具有第一输出节点和第二输出节点的差分输出端,其中所述第一电路元件被耦接至所述第一输出节点,并且其中,所述第二电路元件被耦接至所述第二输出节点。
6.根据权利要求5所述的电路系统,其中所述预充电电路系统包括将所述第一输出节点和所述第二输出节点预充电至正电源电压的第一P型晶体管和第二P型晶体管,其中所述第一电路元件包括第一N型晶体管,其中所述第二电路元件包括第二N型晶体管,其中所述第一N型晶体管与所述第二N型晶体管是交叉耦接的,其中第一N型晶体管和第二N型晶体管将所述第一输出节点和所述第二输出节点拉向接地电源电压,并且其中,所述电路系统基于所述第一N型晶体管与所述第二N型晶体管之间的变化在所述差分输出端生成所述输出信号。
7.根据权利要求6所述的电路系统,所述电路系统进一步包括:
耦接在交叉耦接的N型晶体管与接地电源端子之间的至少一个感测晶体管,其中所述感测晶体管由感测控制信号控制。
8.根据权利要求7所述的电路系统,其中所述至少一个感测晶体管包括由所述感测控制信号控制的一对堆叠的感测晶体管。
9.根据权利要求7所述的电路系统,所述电路系统进一步包括:
耦接在所述交叉耦接的晶体管与所述感测晶体管之间的地址晶体管。
10.根据权利要求5所述的电路系统,所述电路系统进一步包括:
耦接至所述第一输出节点和所述第二输出节点的第一基于晶体管的电容器和第二基于晶体管的电容器。
11.根据权利要求5所述的电路系统,所述电路系统进一步包括:
耦接至所述输出节点的感测放大器,其中所述感测放大器产生唯一识别所述电路系统的输出信号。
12.一种操作包括晶体管的物理不可克隆功能电路的方法,所述晶体管具有第一类型和第二类型,所述方法包括:
用包含所述第一类型的晶体管的第一子组的预充电电路系统预充电输出端;以及
用包含与所述第一类型不同的所述第二类型的晶体管的第二子组的电路系统,基于所述第二类型的晶体管的所述第二子组中的所述晶体管之间的变化在所述输出端产生信号。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述输出端包括具有第一输出节点和第二输出节点的差分输出端,其中所述信号包括在所述第一输出节点和所述第二输出节点处的差分信号,所述方法进一步包括:
用耦接至所述第一输出节点和所述第二输出节点的感测放大器,基于所述差分信号产生输出信号。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述感测放大器包括电压感测放大器,并且其中,基于所述差分信号产生所述输出信号包括放大所述第一输出节点与所述第二输出节点处的电压之间的差值。
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