[发明专利]一种用于功率放大器的有源偏置电路及通信设备

权利要求书

1.一种用于功率放大器的有源偏置电路，其特征在于包括PTAT电流源电路、基准电压电路、隔离稳压电路以及偏置电压电路；其中，

所述PTAT电流源电路输入端连接到电压源，输出端连接基准电压电路，用于产生与所述电压源和温度成比例的电流；

所述基准电压电路产生与所述电流和温度成比例的基准电压；

所述隔离稳压电路隔离所述基准电压电路和所述偏置电压电路，通过负反馈的环路为所述偏置电压电路提供稳定电压；

所述偏置电压电路接收所述隔离电压电路的电压，同时连接所述电压源，用于产生功率放大管的偏置电压。

2.如权利要求1所述的有源偏置电路，其特征在于所述PTAT电流源电路包括两组电流镜电路、多个三极管和电阻；其中，

第一组电流镜电路包括三个PMOS管；各所述PMOS管的源极连接所述电压源，栅极对接；第一PMOS管的漏极连接第一NMOS管的漏极；第二PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极；第三PMOS管的漏极连接所述基准电压电路；

第二组电流镜电路包括所述第一NMOS管和所述第二NMOS管；所述第一NMOS管的栅极连接漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极连接第一三极管；所述第二NMOS管的源极连接第一电阻；

所述第一三极管与第二三极管串联后接地，

所述第一电阻、第三三极管和第四三极管串联后接地。

3.如权利要求2所述的有源偏置电路，其特征在于：

所述第一三极管和第二三极管的发射结面积相等，所述第三三极管和所述第四三极管的发射结面积相等，且所述第一三极管的发射结面积需大于所述第三三极管的发射结面积。

4.如权利要求1所述的有源偏置电路，其特征在于所述基准电压电路包括三极管和一个电阻；其中，

第二电阻的一端分别连接所述PTAT电流源电路和所述隔离稳压电路；

所述第二电阻的另一端连接第五三极管的集电极和基极；所述第五三极管的发射极连接第六三极管的集电极和基极；所述第六三极管的发射极接地。

5.如权利要求1所述的有源偏置电路，其特征在于所述隔离稳压电路包括若干电阻和三极管；其中，

第七三极管的集电极连接所述基准电压电路的输出端和第三电阻的一端，基极连接所述第三电阻的另一端与第八三极管的集电极，发射极连接第四电阻和所述第八三极管的基极；

所述第八三极管的发射极和所述第四电阻的另一端分别接地；

所述第七三极管、所述第三电阻和所述第八三极管的连接点连接所述偏置电压电路。

6.如权利要求5所述的有源偏置电路，其特征在于：

所述第八三极管的发射极通过电阻接地。

7.如权利要求1所述的有源偏置电路，其特征在于所述偏置电压电路为三极管；其中，

第九三极管的集电极连接所述电压源，基极接收所述隔离稳压电路提供的电压，发射极连接所述功率放大管的基极。

8.如权利要求7所述的有源偏置电路，其特征在于所述偏置电压电路还包括若干并联的二极管；其中，

各所述二极管的阳极接地，阴极连接所述第九三极管的集电极。

9.如权利要求1所述的有源偏置电路，其特征在于：

所述有源偏置电路还包括自热补偿电路：

所述自热补偿电路包括三极管和电阻；第十三极管的基极与所述功率放大管的基极相连接，集电极通过第五电阻接地，发射极连接所述功率放大管的集电极。

10.一种通信设备，其特征在于所述通信设备的功率放大器采用权利要求1～9中任意一项所述的有源偏置电路。