[发明专利]用于结构化由两个半导体层组成的层结构的方法及微机械部件

说明书

本发明涉及一种用于通过以下方式结构化由两个半导体层与位于两个半导体层之间的绝缘层和/或蚀刻停止层组成的层结构的方法：在两个半导体层中的第一半导体层的第一侧上构造第一蚀刻掩膜；实施从第一外侧出发的用于结构化第一半导体层的第一蚀刻步骤，在两个半导体层中的第二半导体层的第二侧上构造第二蚀刻掩膜；实施从第二外侧出发的用于结构化第二半导体层的第二蚀刻步骤，其中，在实施第一蚀刻步骤之后并且在实施第二蚀刻步骤之前，在至少一个在第一蚀刻步骤中蚀刻的第一沟槽的至少一个沟槽壁上沉积至少一种蚀刻保护材料。本发明同样涉及一种用于微机械部件的制造方法。此外，本发明涉及一种微机械部件。

技术领域

本发明涉及一种用于结构化由两个半导体层与位于所述两个半导体层之间的绝缘层和/或蚀刻停止层组成的层结构的方法。本发明同样涉及一种用于微机械部件的制造方法。此外，本发明涉及一种微机械部件。

背景技术

在DE 60 2004 008 537 T2和DE 11 2008 000 218 T5中描述了用于制造SOI衬底(Silicon-On-Insulator，SOI：绝缘体上硅)的方法。如此制造的SOI衬底通常是用于制造微机械部件的原料。在这种情形中，大多通过衬底的和硅层的结构化实现微机械部件的制造，所述硅层借助位于衬底和硅层之间的绝缘层和/或蚀刻停止层与衬底电绝缘。

发明内容

本发明实现用于结构化由两个半导体层与位于所述两个半导体层之间的绝缘层和/或蚀刻停止层组成的层结构的方法，所述方法具有以下步骤：

在所述两个半导体层中的第一半导体层的位于所述层结构的第一外侧处的并且远离所述绝缘层和/或蚀刻停止层定向的第一侧上构造第一蚀刻掩膜；

实施从所述第一外侧出发的用于结构化所述第一半导体层的第一蚀刻步骤，其中，在所述第一半导体层的第一侧的从所述第一蚀刻掩膜暴露的至少一个部分面处蚀刻穿透所述第一半导体层的至少一个第一沟槽，使得所述至少一个第一沟槽在第一蚀刻步骤之后具有至少一个沟槽底，所述沟槽底使所述绝缘层和/或蚀刻停止层的至少一个部分面暴露；

在所述两个半导体层中的第二半导体层的位于所述层结构的第二外侧处的并且远离所述绝缘层和/或蚀刻停止层定向的第二侧上构造第二蚀刻掩膜；

实施从所述第二外侧出发的用于结构化所述第二半导体层的第二蚀刻步骤，其中，在所述第二半导体层的第二侧的从所述第二蚀刻掩膜暴露的至少一个部分面处蚀刻穿透所述第二半导体层的至少一个第二沟槽，

在实施所述第一蚀刻步骤之后并且在实施所述第二蚀刻步骤之前，在所述至少一个第一沟槽的至少一个沟槽壁上沉积至少一种蚀刻保护材料，其中，由于所述至少一种蚀刻保护材料的耐蚀刻性，在所述第二蚀刻步骤期间所述至少一个第一沟槽的至少一个沟槽壁保持被覆盖，其特征在于，在实施所述第一蚀刻步骤之后并且在实施所述第二蚀刻步骤之前，在所述至少一个第一沟槽的所述至少一个沟槽底上、在所述第一蚀刻掩膜上和/或在所述第一半导体层的第一侧上沉积所述至少一种蚀刻保护材料，其中，在所述第二蚀刻步骤之前借助从所述第一外侧实施的各向异性蚀刻步骤使所述至少一个第一沟槽的至少一个沟槽底、所述第一蚀刻掩膜和/或所述第一半导体层的第一侧从所述至少一种蚀刻保护材料暴露，并且，附加地去除所述绝缘层和/或蚀刻停止层的在所述至少一个第一沟槽的至少一个沟槽底处暴露的部分区域。

本发明还实现一种用于微机械部件的制造方法，其中，根据前述方法从由两个半导体层与位于所述两个半导体层之间的绝缘层和/或蚀刻停止层组成的层结构结构化出所述微机械部件的至少一个部分元件。

发明优点

本发明能够实现在用于结构化第二半导体层的第二蚀刻步骤期间对从第一半导体层结构化出的元件的更可靠的保护。因此，在后续过程中防止在第一蚀刻步骤中构成的结构的蚀刻和/或损坏。因此，借助本发明可以在制造微机械部件时更可靠地实现所期望的部件特性。