[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域选择性地进行蚀刻，其中，

该蚀刻方法包括以下工序：

在所述第2区域上形成比形成在所述第1区域上的保护膜厚的保护膜的保护膜形成工序，在该保护膜形成工序中，将具有该第1区域和该第2区域的被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中；以及

对所述第1区域进行蚀刻的蚀刻工序，在该蚀刻工序中，将所述被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中，

使在形成所述保护膜的所述保护膜形成工序中向用于载置所述被处理体的载置台供给的高频偏置电力小于在对所述第1区域进行蚀刻的所述蚀刻工序中向所述载置台供给的高频偏置电力，

在形成所述保护膜的所述保护膜形成工序中，将所述被处理体的温度设定为60℃～250℃的温度，其中，

将所述第2区域埋入到所述第1区域内，

该蚀刻方法还包括以下工序：

生成含有氢、氮以及氟的气体的等离子体而使所述第1区域变质以形成变质区域的工序；以及

去除所述变质区域的工序，

在通过形成所述变质区域的工序和去除所述变质区域的工序而使所述第2区域暴露之后，进行形成所述保护膜的工序和对所述第1区域进行蚀刻的工序。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

在去除所述变质区域的工序中，加热所述被处理体。

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

在去除所述变质区域的工序中，将所述被处理体暴露在非活性气体的等离子体中。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，

多次重复形成所述变质区域的工序和去除所述变质区域的工序。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，

在形成所述保护膜的工序中，作为所述碳氟化合物气体，使用含有C₄F₆、C₄F₈以及C₆F₆中的至少一者的气体。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，

交替地重复形成所述保护膜的工序和对所述第1区域进行蚀刻的工序。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，

在形成所述保护膜的工序中，不向其上载置有所述被处理体的载置台供给高频偏置电力。

8.一种等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置包括：

处理容器；

载置台，其用于在所述处理容器内载置被处理体；

温度调整机构，其用于调整所述载置台的温度；

气体供给部，其用于向所述处理容器内供给含有氢、氮以及氟的第1气体、含有碳氟化合物的第2气体、以及含有碳氟化合物的第3气体；

等离子体生成部，其产生用于将供给至所述处理容器内的气体激励的能量；

电力供给部，其用于向所述载置台供给高频偏置电力；以及

控制部，其用于对所述温度调整机构、所述气体供给部、所述等离子体生成部以及所述电力供给部进行控制，

所述控制部执行如下控制：

第1控制，其该第1控制中，使所述气体供给部供给所述第1气体并使所述等离子体生成部产生能量；

第2控制，在该第2控制中，使所述温度调整机构加热载置台；

第3控制，在该第3控制中，使所述气体供给部供给所述第2气体并使所述等离子体生成部产生能量；以及

第4控制，在该第4控制中，使所述气体供给部供给所述第3气体并使所述等离子体生成部产生能量，

所述控制部控制所述电力供给部，使得在所述第3控制中向所述载置台供给的高频偏置电力小于在所述第4控制中向所述载置台供给的高频偏置电力，

所述控制部控制所述温度调整机构，使得在所述第3控制中所述载置台的温度成为60℃～250℃的温度。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，

所述第2气体含有C₄F₆、C₄F₈以及C₆F₆中的至少一者。