[发明专利]磁头组件有效
申请号: | 201510075880.3 | 申请日: | 2015-02-12 |
公开(公告)号: | CN104835511B | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 桑岛秀树;染谷拓 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;G11B5/48 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁头 组件 | ||
技术领域
本发明涉及一种磁头组件,为了使用作电脑存储装置的磁盘装置的记录更加高密度化,该磁头组件具有微型驱动器等的磁头转动机构。
背景技术
近年来,磁盘装置中磁盘记录日益向高密度化发展。在磁盘装置中设置有一滑块,在其上安装有对磁盘进行数据的记录和再生的磁头,该滑块由磁头支撑机构支撑。磁头支撑机构安装在磁头驱动臂上,能够由音圈马达(VCM)使磁头驱动臂转动。通过该音圈马达的控制,安装在滑块上的磁头能够定位于磁盘上的任意位置。但如果要在磁盘上更高密度地记录数据,就有必要更加精确地确定磁头在磁盘上的位置,而单纯依靠音圈马达转动磁头驱动臂来定位磁头,也无法做到高精度的磁头定位。
在专利文件1(日本专利文献特开2011-138596号公报)中公开了一种具有现有技术的磁头转动机构的磁头组件的整体结构。该磁头组件前端部的挠曲件上形成有薄膜压电体元件,在薄膜压电体元件上施加电压时会导致薄膜压电体元件伸缩,由此带动滑块以支点突起为中心转动,而磁头会发生细微的位移,从而控制其在轨道上的精密定位。这时在薄膜压电体元件的外周处布有的磁头元件的布线会伴随薄膜压电体元件的位移一起伸缩。
然而,因为薄膜压电体元件是在晶片上溅射成膜的,且其成本由从一张晶片上能够获得的元件数量决定,于是如何在一次成膜中获取更多的元件成为首要课题。因此,为了用体积更加微小的元件确保预期的位移,就需要有比现有技术更加有效的驱动方法。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的,目的在于提供一种磁头组件,其为了获得所希望的磁头元件的位移量能够进行有效的驱动而不增加薄膜压电元件体积。
为了达到上述目的,本发明所涉及的磁头组件,其中具有磁头元件的滑块支撑在形成于挠曲件的滑块支撑板上,该滑块支撑板可在设置于负载梁的前端部上的支点突起的周围进行转动,其特征在于,包括:第1连杆,其配置为在与所述滑块支撑板连接的第1连接点和与第1固定部连接的第2连接点之间进行连接;第2连杆,其配置为在与所述滑块支撑板连接的第3连接点和与第2固定部连接的第4连接点之间进行连接;第1驱动装置,其驱动所述第1连杆;以及第2驱动装置,其驱动所述第2连杆。
通过形成这样的结构,滑块以支点为中心进行往复转动运动时能够在降低作用于薄膜压电体元件的驱动负载的同时,增加磁头位移量。
而且,还可以构成为:使将连接第1连接点和第2连接点的第1线段和连接第3连接点和第4连接点的第2线段延长后相交的交点与支点突起一致。借助此结构,能够进一步降低作用于薄膜压电体元件的驱动负载。
另外,第1连杆和第2连杆还可以包括向所述磁头元件传达信号的布线部和部分地加强布线部的加强板。该加强板是通过对构成挠曲件的不锈钢基板进行蚀刻而获得。借助此结构,不必增加新的加工工艺就能简单地设置加强板,而且能够实现安定的磁头定位动作。
且还可以构成为:具有设置于第1驱动装置和第2连接点之间的第1分离槽,以及设置于第2驱动装置和第4连接点之间的第2分离槽。借助此结构,能够增大驱动部件的变形量。
且还可以构成为:第1驱动装置和第2驱动装置的面积的长宽比例L/W为2以上。借助此结构,能够将变位量和滑块的旋转刚性之间的关系设定为最佳状态。
根据本发明能够提供一种磁头组件,其为了降低作用于薄膜压电体元件的驱动负载并获得所希望的磁头元件的位移量能够进行有效的驱动而不增加薄膜压电元件体积。
附图说明
图1是安装有本发明的优选实施方式所涉及的磁头组件的磁盘装置的简要平面图。
图2是本发明的优选实施方式所涉及的磁头组件的立体图。
图3是本发明的优选实施方式所涉及的磁头组件的分解立体图。
图4是本发明的优选实施方式所涉及的磁头组件所具有的挠曲件的分解立体图。
图5a是本发明的优选实施方式所涉及的磁头组件所具有的第1驱动装置的平面图。
图5b是图5a中的A-A剖面图。
图5c是图5a中的B-B剖面图。
图6是从上表面侧看本发明的优选实施方式所涉及的磁头组件的前端部主要部分的平面图。
图7是从下表面侧看本发明的优选实施方式所涉及的磁头组件的前端部主要部分的平面图。
图8a是图6中的C-C剖面图。
图8b是图6中的D-D剖面图。
图8c是图6中的F-F剖面图。
图8d是图6中的H-H剖面图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510075880.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。