[发明专利]一种C类反相器的恒定跨导偏置电路有效
申请号: | 201510073130.2 | 申请日: | 2015-02-11 |
公开(公告)号: | CN104699159A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 柯强;卫宝跃;刘昱;张海英 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 类反相器 恒定 偏置 电路 | ||
1.一种C类反相器的恒定跨导偏置电路,其特征在于,包括基于反相器的开关电容积分器和恒定跨导偏置电路,所述基于反相器的开关电容积分器中OTA和所述恒定跨导偏置电路通过调制信号Vdda连接;其中,
所述基于反相器的开关电容积分器包括第一NMOS晶体管MN11和第一PMOS晶体管MP11组成的反相器;
所述恒定跨导偏置电路包括:镜像工作点感应器件、互补型恒定跨导偏置电流源、运算放大器和输出负载晶体管。
2.根据权利要求1所述的C类反相器的恒定跨导偏置电路,其特征在于,所述镜像工作点感应器件包括第二NMOS晶体管MN12和第二PMOS晶体管MP12连接组成的反相器,用于镜像所述开关电容积分器中OTA的工作点,产生反馈信号Vfb;第二NMOS晶体管MN12的栅极和漏极和第二PMOS晶体管MP12的栅极和漏极相连,第二NMOS晶体管MN12的源极接地,第二PMOS晶体管MP12的源极连接调制信号Vdda。
3.根据权利要求2所述的C类反相器的恒定跨导偏置电路,其特征在于,第二NMOS晶体管MN12和第二PMOS晶体管MP12的尺寸基于反相器OTA的等比例缩小。
4.根据权利要求2所述的C类反相器的恒定跨导偏置电路,其特征在于,所述互补型恒定跨导电流源包括互补型恒定跨导偏置电流源Iblas和第三NMOS晶体管MN13;第三NMOS晶体管MN13的源极接地,互补型恒定跨导偏置电流源Iblas与第三NMOS晶体管MN13的栅极和漏极相连,产生参考信号Vref,并且连接到运算放大器AMP10的负端,运算放大器AMP10的负端Vref和正端Vfb比较的输出端连接到第三PMOS晶体管MPload的栅极,第三PMOS晶体管MPload的源极连接到外部供电电压Vdd,第三PMOS晶体管MPload的漏极连接到第二PMOS晶体管MP12的源极,并产生调制信号Vdda。
5.根据权利要求1所述的C类反相器的恒定跨导偏置电路,其特征在于,所述基于反相器的开关电容积分器还包括采样电容CS、积分电容CI、补偿电容CC、两相不交叠时钟控制开关、输入节点Vtm和输出节点Vo。
6.根据权利要求1所述的C类反相器的恒定跨导偏置电路,其特征在于,所述的互补型恒定跨导电流源中,第八NMOS晶体管MN32的栅极和漏极之间连接第二参考电阻R32,第七NMOS晶体管MN31的栅极与第八NMOS晶体管MN32的漏极相连,第七PMOS晶体管MP31的栅极和漏极之间连接第一参考电阻R31,第八PMOS晶体管MP32的栅极与第七PMOS晶体管MP31的漏极相连;第九NMOS晶体管MN33的栅极和第七NMOS晶体管MN31的栅极相连,组成电流镜结构;第十NMOS晶体管MN34的栅极和第八NMOS晶体管MN32的栅极相连,组成电流镜结构;第九PMOS晶体管MP33的栅极和漏极相连且与第十PMOS晶体管MP34的栅极相连,组成电流镜结构;第九PMOS晶体管MP33的栅极和漏极与第九NMOS晶体管MN33的漏极和第十NMOS晶体管MN34的漏极相连;采用所述互补型恒定跨导电流源提供偏置,产生参考电压。
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