[发明专利]熔线和熔线编程方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年2月10日提交的美国临时申请序列号61/937665的优先权，在此通过引用将该美国临时申请全部并入本文。

技术领域

各个方面涉及熔线和熔线编程方法。

背景技术

熔线可被包括和/或集成在器件中，该器件可例如被用于各种技术中，该各种技术包括但不限于n型金属氧化物半导体（NMOS）、p型金属氧化物半导体（PMOS）和互补金属氧化物半导体（CMOS）技术。

熔线可包括熔线链，例如电气链和/或互连。对熔线进行编程可包括或可由以下组成：选择性断开（例如使破裂）熔线的熔线链（例如电气链和/或互连）。可将熔线确定（例如凭借感测电路）为已编程熔线（例如其中电气链可以被断开的熔线）或未编程熔线（例如其中电气链可以被连接的熔线）。已编程熔线可能被错误地确定为未编程熔线，例如如果在编程之后的熔线的电阻小于某个阈值或判定水平的话。

发明内容

根据各个实施例，提供了一种熔线，其可包括：第一熔线链；串联耦合到第一熔线链的第二熔线链；以及耦合在第一和第二熔线链之间并且被布置在与第一和第二熔线链相同的层次中的连接元件。

根据各个实施例，提供一种熔线，其可包括：第一熔线链；以及串联耦合到第一熔线链的第二熔线链；其中第一和第二熔线链中的至少一个包括多晶硅。

根据各个实施例，提供一种熔线，其可包括：第一熔线链；串联耦合到第一熔线链的第二熔线链；以及耦合在第一和第二熔线链之间的至少一个不可熔连接元件，该连接元件具有非最小特征大小并且被布置在在第一和第二熔线链的之上和之下中的至少一个处的金属化层次中。

根据各个实施例，提供一种熔线，其可包括：第一熔线链；串联耦合到第一熔线链的第二熔线链，其中第一和第二熔线链被配置为具有横向电流流动；以及耦合在第一和第二熔线链之间的连接元件，该连接元件被布置在在第一和第二熔线链的之上和之下中的至少一个处的金属化层次处。

附图说明

在图中，同样的附图标记大体涉及遍及不同视图的相同部分。图不一定是按照比例的，相反通常将重点放在在图示本发明的原理上。在以下描述中，参考以下图描述本发明的各个方面，其中：

图1示出常规熔线的示意性平面视图。

图2示出熔线链的一部分的横截面视图。

图3示出未编程和已编程的累积电阻分布。

图4A和图4B示出其中使用两个熔线来指示一个位的值的示例。

图5示出熔线的示意性平面视图。

图6示出作为时间的函数的编程脉冲和编程电流。

图7示出已编程状态中的两个熔线链中的每个熔线链的累积电阻分布，以及在已编程状态中的熔线链的串联耦合的累积电阻分布。

图8A到图8C示出熔线的示意性平面视图，每个熔线包括第一端子区域和第二端子区域。

图9示出包括耦合在第一和第二熔线链之间的至少一个连接元件的熔线的示意性平面视图。

图10示出包括第一和第二熔线链、第一端子区域、第二端子区域和至少一个连接元件的熔线的示意性平面视图。

图11A和图11B示出包括第一和第二熔线链、至少一个连接元件、第一和第二端子区域、和耦合到第一和第二端子区域的第一和第二端子触点的熔线的示意性平面视图。

图12示出包括熔线和熔线操作电路的熔线元件的示意性平面视图。

图13A到图13C示出包括编程晶体管的熔线元件的示意性平面视图。

图14示出熔线阵列的示意性平面视图。

图15到图19示出对熔线进行编程的方法。

具体实施方式

以下详细描述涉及通过图示的方式示出可实践本发明的特别细节和方面的附图。以足够的细节描述这些方面以使得本领域技术人员能够实践本发明。可以利用其它方面并且可以做出结构、逻辑和电气改变而不脱离本发明的范围。各个方面不一定是相互排斥的，因为一些方面可以与一个或多个其它方面组合以形成新的方面。针对结构或设备描述各个方面并且针对方法描述各个方面。可以理解的是，结合结构或设备描述的一个或多个（例如所有）方面可以等同地适用于方法，并且反之亦然。

在本文使用词语“示例性”来意指“用作示例、实例或图示”。本文描述为“示例性”的任何方面或设计不是必须被解释为相对于其它方面或设计是优选或有利的。