[发明专利]一种OLED单元及其制造方法、显示面板在审

专利信息
申请号: 201510070011.1 申请日: 2015-02-10
公开(公告)号: CN104681736A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 吴长晏;闫光;万想 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 张所明
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 oled 单元 及其 制造 方法 显示 面板
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,特别涉及一种OLED单元及其制造方法、显示面板。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)单元是一种具有自发光特征的有机二极管,其是制造显示屏的重要材料。例如,显示面板是显示屏的重要组成部件,而显示面板就是由大量的OLED单元组成。

目前,OLED单元的结构包括:阳极层、电致发光单元和阴极层,电致发光单元位于阳极层和阴极层之间,电致发光单元包括多个发光层,阳极层包括每个发光层对应的一个像素区域,发光层在阳极层上的投影区域与该发光层对应的像素区域重叠。以及,OLED单元的制造过程为:先分别制造阳极层和电致发光单元,对阳极层和电致发光单元进行对位操作,使电致发光单元上的任一发光层在阳极层上的投影区域与该发光层对应的像素区域重叠,在电致发光单元远离阳极层的一侧添加阴极层。

发明人发现现有技术至少存在以下问题:

随着显示面板的分辨率的提高,需要在相同尺寸的显示面板上放更多的OLED单元,使得OLED单元的体积变的越来越小,对阳极层和电致发光单元进行对位操作时很容易使发光层和其对应的像素区域产生错位,这些错位的OLED单元组成的显示面板在显示时会出现混色现象。

发明内容

为了解决现有技术的问题,本发明实施例提供了一种OLED单元及其制造方法、显示面板。所述技术方案如下:

第一方面,本发明实施例提供了一种有机发光二极管OLED单元,所述OLED单元包括:

第一电极层、电致发光单元和第二电极层,所述电致发光单元位于所述第一电极层和所述第二电极层之间;

所述电致发光单元包括至少一个发光层,每个发光层对应两个像素区域,所述第二电极层包括所述像素区域;

所述发光层在所述第二电极层中的投影区域与其对应的两个像素区域重叠。

可选地,所述发光层对应的两个像素区域的厚度不同。

可选地,所述发光层对应的两个像素区域之间的间隔距离在0至30微米之间。

可选地,所述电致发光单元包括两个发光层,其中一个发光层对应的两个像素区域分别用于发出红色光和绿色光,另一个发光层对应的两个像素区域分别用于发出蓝色光和绿色光。

可选地,用于发出蓝色光的像素区域的氧化铟锡ITO透明电极的厚度小于用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度;

用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度小于用于发出红色光的像素区域的ITO透明电极的厚度。

可选地,所述用于发出蓝色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在25至35纳米的范围内;所述用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在45至55纳米的范围内;所述用于发出红色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在85至95纳米的范围内。

可选地,电致发光单元还包括:电子传输层和空穴传输层;

所述至少一个发光层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间;所述电子传输层靠近第一电极层;所述空穴传输层靠近第二电极层。

第二方面,本发明实施例提供了一种制造有机发光二极管OLED单元的方法,所述方法包括:

在基板上形成第二电极层,所述第二电极层为包括多个像素区域的图案;

在所述基板上通过构图工艺形成包括至少一个发光层的图案,其中每个发光层对应第二电极层中的两个像素区域,每个发光层在所述第二电极层中的投影区域与其对应的每个像素区域重叠;

在所述基板上形成第一电极层。

可选地,所述发光层对应的两个像素区域之间的间隔距离在0至30微米之间。

可选地,在所述基板上形成的发光层包括两个,其中一个发光层对应的两个像素区域分别用于产生红色光和绿色光,另一个发光层对应的两个像素区域分别用于产生蓝色光和绿色光。

可选地,用于发出蓝色光的像素区域的氧化铟锡ITO透明电极的厚度小于用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度;

用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度小于用于发出红色光的像素区域的ITO透明电极的厚度。

可选地,所述用于发出蓝色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在25至35纳米的范围内;所述用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在45至55纳米的范围内;所述用于发出红色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在85至95纳米的范围内。

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