[发明专利]一种镀膜硅基材料及其制备方法和镀膜处理液

权利要求书

1.一种镀膜硅基材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)配制镀膜处理液：

将氢氟酸、金属盐和水混合，得到镀膜处理液，其中，所述镀膜处理液中，氢氟酸的浓度为10-19mol/L，金属离子的摩尔浓度为0.005-0.054mol/L；

(2)镀膜处理：

取硅基材料，置于所述镀膜处理液中进行处理，处理温度为15-50℃，处理时间为5-20s；

(3)将步骤(2)处理后的硅基材料取出，进行清洗、烘干处理，得到镀膜硅基材料，所述镀膜硅基材料包括硅基材料层和金属层，所述金属层沉积在所述硅基材料层的表面，所述金属层的电负性大于硅的电负性。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述镀膜处理液中，所述金属盐包括硝酸铜、硝酸银、氯化铜、草酸铜、草酸银、氯化银、碳酸铜、碳酸银、硝酸钯、氯金酸和氯铂酸中的一种。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述镀膜处理液中，金属盐为硝酸银。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述硅基材料为硅片或硅芯片。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述处理温度为15-24℃。

6.一种镀膜硅基材料，其特征在于，由权利要求1-5中任一项所述的制备方法制得。

7.如权利要求6所述的镀膜硅基材料，其特征在于，所述硅基材料层为硅片或硅芯片，所述金属层的材质为铜、银、金、钯和铂中的一种。