[发明专利]辐射检测装置和辐射检测系统

权利要求书

1.一种包括多个像素的辐射检测装置，其特征在于，该辐射检测装置包括：

转换元件，包含针对各像素分割的第一电极、半导体层和第二电极；

切换元件，与第一电极电连接；以及

第一绝缘层，分离相邻像素的转换元件，

其中，半导体层位于第一电极与第二电极之间，

半导体层的外周位于第一电极的外周和第二电极的外周的外面，

半导体层包括包含与第一电极接触的部分的第一杂质半导体层、包含与第二电极接触的部分的第二杂质半导体层和位于第一杂质半导体层与第二杂质半导体层之间的本征半导体层，并且，

限定从第一杂质半导体层的外周沿着第一杂质半导体层直到第一杂质半导体层的与第一电极接触的部分的长度D_L1、从第二杂质半导体层的外周沿着第二杂质半导体层直到第二杂质半导体层的与第二电极接触的部分的长度D_U、第一杂质半导体层的薄层电阻R_□L1、第二杂质半导体层的薄层电阻R_□U、所述多个像素的像素间距P和切换元件的导通电阻R_on，以将接通切换元件之后10μs的残留电荷设定为不高于2％。

2.根据权利要求1所述的辐射检测装置，其中，满足：

{D_L1/(4×P)}×R_□L1＜5×R_on，以及

{D_U/(4×P)}×R_□U＜100×R_on。

3.根据权利要求1所述的辐射检测装置，其中，从第一电极的外周到半导体层的外周的长度不小于5nm。

4.根据权利要求1所述的辐射检测装置，其中，从第一电极的外周到半导体层的外周的长度不小于1μm。

5.根据权利要求1所述的辐射检测装置，其中，从第二电极的外周到半导体层的外周的长度不小于5nm。

6.根据权利要求1所述的辐射检测装置，其中，从第二电极的外周到半导体层的外周的长度不小于1μm。

7.根据权利要求1所述的辐射检测装置，其中，第一杂质半导体层的外周接触第一绝缘层。

8.根据权利要求1所述的辐射检测装置，其中，第一杂质半导体层和第一绝缘层通过本征半导体层相互分离开。

9.根据权利要求8所述的辐射检测装置，其中，令D_L3为从第一杂质半导体层的外周到本征半导体层的外周的长度并且R_□L3为本征半导体层的薄层电阻，还满足：

{D_L1/(4×P)}×R_□L1+{D_L3/(4×P)}×R_□L3＜5×R_on。

10.根据权利要求1所述的辐射检测装置，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层使第一电极的外周与第一杂质半导体层相互分离开。

11.根据权利要求1所述的辐射检测装置，还包括闪烁体层，所述闪烁体层被布置在所述多个像素上并且将辐射转换成波长能由转换元件检测的光。

12.一种辐射检测系统，其特征在于，包括：

在权利要求1-11中的任一项中限定的辐射检测装置；和

信号处理装置，用于处理由辐射检测装置获得的信号。