[发明专利]晶片清洗装置及晶片清洗方式

权利要求书

1.一种晶片清洗方式，包含：

提供一晶片，其包含待洗表面和至少一喷嘴位于该晶片上方；

旋转该晶片，并且通过该喷嘴喷洒一清洗液冲洗该待洗表面，该喷嘴具有喷洒参数，该喷洒参数为该喷嘴在水平方向相对于晶片的位置的函数。

2.如权利要求1所述的晶片清洗方式，其中该清洗液在喷洒之前，至少和一气体混合。

3.如权利要求2所述的晶片清洗方式，其中该喷洒参数选自下列群组：该喷嘴和该待洗表面之间的距离、该清洗液的流速、该清洗液的种类、该清洗液和该气体混合的比例和该清洗液的浓度。

4.如权利要求1所述的晶片清洗方式，其中该晶片清洗方式是在化学机械研磨制作工艺后、蚀刻制作工艺后的表面或光致抗蚀剂显影制作工艺之后进行。

5.一种晶片清洗方式，包含：

提供一晶片包含待洗表面和喷嘴，该喷嘴包含多个开口位于该晶片上方；以及

旋转该晶片，并且通过各该开口各喷洒一清洗液冲洗该待洗表面，各该开口各具有喷洒参数，该喷洒参数为各该开口在水平方向相对于该晶片的位置的函数。

6.如权利要求5所述的晶片清洗方式，其中该清洗液在喷洒之前，至少和一气体混合。

7.如权利要求6所述的晶片清洗方式，其中该喷洒参数选自下列群组：各该开口和该待洗表面之间的距离、该清洗液的流速、该清洗液的种类、该清洗液和该气体混合的比例和该清洗液的浓度。

8.如权利要求5所述的晶片清洗方式，其中该晶片清洗方式是在化学机械研磨制作工艺后、蚀刻制作工艺后的表面或光致抗蚀剂显影制作工艺之后进行。

9.如权利要求5所述的晶片清洗方式，其中该清洗液由各该开口喷出时，各形成一喷洒面积共同覆盖该晶片的直径。