[发明专利]一种场致发射冷阴极有效
申请号: | 201510065759.2 | 申请日: | 2015-02-09 |
公开(公告)号: | CN104616945B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 仲雪飞;樊兆雯;张雄;屠彦;杨兰兰;王丽丽 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01J1/304 | 分类号: | H01J1/304 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210018 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 阴极 | ||
1.一种场致发射冷阴极,其特征在于:包括绝缘板,在绝缘板上形成的第一导电层,在第一导电层上形成的第二导电层;其中,第二导电层为与绝缘板和第一导电层均垂直的环状石墨烯。
2.根据权利要求1所述的场致发射冷阴极,其特征在于:第二导电层为环状石墨烯阵列,其中,环状石墨烯阵列中每个石墨烯单元的横截面形状为圆形或多边形,环状石墨烯阵列的排布形状为矩阵型或蜂窝状。
3.根据权利要求2所述的场致发射冷阴极,其特征在于:环状石墨烯阵列中相邻两石墨烯环之间的距离为环直径的0.2~5倍。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的场致发射冷阴极,其特征在于:环状石墨烯的层数为1~100。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的场致发射冷阴极,其特征在于:环状石墨烯的高度为0.1微米~1毫米,环状石墨烯的直径为高度的0.1~200倍。
6.根据权利要求1-3任意一项所述的场致发射冷阴极,其特征在于:环状石墨烯的顶部碳原子分布结构为扶手型。
7.根据权利要求1-3任意一项所述的场致发射冷阴极,其特征在于:环状石墨烯的顶部碳原子分布结构为锯齿型。
8.根据权利要求1-3任意一项所述所述的场致发射冷阴极,其特征在于:环状石墨烯的顶部碳原子分布结构为扶手或锯齿混合型。
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