[发明专利]一种高导电率低反射率金属网格的模具制备方法及其模具

权利要求书

1.一种高导电率低反射率金属网格的模具制备方法，包括以下步骤：

（1）在透明基材上涂布光阻层，光阻层厚度为20~60微米，光阻层为两层蚀刻速率不同的光阻层叠加而成；且，上层光阻层所选用的光阻材料的电浆蚀刻速率大于下层光阻层所选用的光阻材料的电浆蚀刻速率；

（2）采用底部带有电路图案凸起的压印模板对光阻层进行压印，拔出压印模板后，在光阻层内形成电路图案沟槽；

（3）对压印后的光阻层进行电浆蚀刻，露出透明基材，其中，电浆蚀刻条件为：电浆功率为2000~3000W，蚀刻时间为2~30分钟，在透明基材上形成上宽下窄的金属网格沟槽，制得金属网格模具。

2.根据权利要求1所述的一种高导电率低反射率金属网格的模具制备方法，其特征在于：上、下层光阻层的蚀刻速率的差值与下层光阻层蚀刻速率值的百分比为15~43%。

3.根据权利要求1所述的一种高导电率低反射率金属网格的模具制备方法，其特征在于，步骤（2）为：采用带有电路图案凸起的压印模板对光阻层进行压印动作，直至压印模板与透明基材之间的距离为50~300纳米，停止压印，并拔出压印模板，在光阻层内形成电路图案沟槽。

4.根据权利要求1所述的一种高导电率低反射率金属网格的模具制备方法，其特征在于：透明基材采用普通玻璃或PET或PC或PMMA。

5.一种高导电率低反射率金属网格模具，其根据权利要求1所述的的模具制备方法制得，其包括透明基材，其特征在于：透明基材上铺设光阻层，光阻层为两层蚀刻速率不同的光阻层叠加而成；且，上层光阻层为高电浆蚀刻速率电阻层，下层光阻层为低电浆蚀刻速率电阻层，电阻层上开设有电路网格凹槽，电路网格凹槽的底部延伸至透明基材的上表面，电路网格凹槽上宽下窄。

6.根据权利要求5所述的一种高导电率低反射率金属网格模具，其特征在于：金属网格凹槽横截面的两侧边线均为非直线。