[发明专利]多阈值低功耗D型CR寄存器

权利要求书

1.一种多阈值低功耗D型CR寄存器，其特征在于，包括：

低功耗控制电路，用来接收低功耗控制信号slp，对低功耗控制信号slp进行缓冲处理后分别输出信号：sleep和nsleep；

低功耗读控制电路，用来接收读控制信号rd，对读控制信号rd进行缓冲处理后分别输出信号：read和nread；

低功耗写控制电路，用来接收写控制信号wt，对写控制信号wt进行缓冲处理后分别输出信号：write和nwrite；

低功耗复位控制电路，用来接收复位控制信号rst，对复位控制信号rst进行缓冲处理后分别输出信号：reset和nreset；

多阈值低功耗D型CR寄存器本体，用来接收双向I/O端信号d、及信号write、nwrite、read、nread、reset、nreset、sleep、nsleep，输出输出端信号q。

2.根据权利要求1所述的多阈值低功耗D型CR寄存器，其特征在于，所述多阈值低功耗D型CR寄存器本体在信号write和nwrite的控制下对双向I/O端信号d进行锁存处理后输出输出端信号q；在信号read和nread的控制下读出CR寄存器本体的值到I/O端口；在信号reset和nreset的控制下对CR寄存器进行异步复位；在接收信号sleep为高电平有效、nsleep为低电平有效信号时，多阈值低功耗D型CR寄存器本体进入睡眠状态，此时双向I/O端信号d的值保持不变；在接收信号sleep为低电平有效、nsleep为高电平有效信号时，唤醒多阈值低功耗D型CR寄存器本体。

3.根据权利要求1或2所述的多阈值低功耗D型CR寄存器，其特征在于，所述低功耗控制电路具有一个输入端和两个输出端，输入端为slp，为低功耗控制信号，高有效；输出端为sleep、nsleep，为睡眠和睡眠的非；所述低功耗控制电路具有一个两级的反相器，其中第一级的反相器由P1 PMOS管和N1 NMOS管组成，其栅极连接slp，输出作为低功耗控制电路的一个输出端nsleep；第二级的反相器由P2 PMOS管和N2 NMOS管组成，其栅极连接nsleep，输出作为低功耗控制电路的另一个输出端sleep；P1 PMOS管和P2 PMOS管的衬底连接电源Vdd，源极连接电源Vdd；N1 NMOS管和N2 NMOS管的衬底接地Vss，源极连接地Vss。

4.根据权利要求1或2所述的多阈值低功耗D型CR寄存器，其特征在于，所述低功耗读控制电路具有一个输入端和两个输出端，输入端为rd，为读控制信号，高有效；输出端为read、nread，为读和读的非；所述低功耗读控制电路具有一个两级的反相器，其中第一级的反相器由P1 PMOS管和N1 NMOS管组成，其栅极连接rd，输出作为低功耗读控制电路的一个输出端nsleep；第二级的反相器由P2 PMOS管和N2 NMOS管组成，其栅极连接nread，输出作为低功耗读控制电路的另一个输出端read；P1 PMOS管和P2 PMOS管的衬底连接电源Vdd，源极连接电源Vdd；N1 NMOS管和N2 NMOS管的衬底接地Vss，源极连接地Vss。

5.根据权利要求1或2所述的多阈值低功耗D型CR寄存器，其特征在于，所述低功耗写控制电路有一个输入端和两个输出端，输入端为wt，为写控制信号，高有效；输出端为write、nwrite，为写和写的非；所述低功耗写控制电路具有一个两级的反相器，其中第一级的反相器由P1 PMOS管和N1 NMOS管组成，其栅极连接wt，输出作为低功耗写控制电路的一个输出端nwrite；第二级的反相器由P2 PMOS管和N2 NMOS管组成，其栅极连接nwrite，输出作为低功耗读控制电路的另一个输出端write；P1 PMOS管和P2 PMOS管的衬底连接电源Vdd，源极连接电源Vdd；N1 NMOS管和N2 NMOS管的衬底接地Vss，源极连接地Vss。