[发明专利]封装方法、显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 201510058588.0 | 申请日: | 2015-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN104600222B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
| 发明(设计)人: | 洪瑞;王丹;许正印 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 方法 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种封装方法、显示面板及显示装置。
背景技术
近年来,有机发光二极管(OLED)显示器作为一种新兴的平板显示器,被引起广泛的关注。然而传统的OLED,特别是位于其中的低功函电极和有机功能层,很容易因周围环境中的氧气和湿气进入OLED显示器中而使性能劣化,严重影响OLED的使用寿命。为了解决这个问题,现有技术中主要是利用各种材料将OLED的有机层与外界隔离,从而达到一定的密封性能,目前主要的密封方法为:在氮气氛围中,在OLED显示面板的上下基板的封装区域填充玻璃料,然后将激光设备发出的激光直接照射在玻璃料上面,激光产生的高温将玻璃料融化,融化后的材料会与上下基板紧密结合,从而实现了OLED器件的封装。
然而,在上述的密封方法中,当采用激光照射玻璃料的时候会造成玻璃料的急剧升温,通常温度会达到800℃以上,这样在快速冷却的时候会积聚大量的应力,严重的时候会导致玻璃料的破裂,从而导致封装失效。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是如何解决现有技术中由于采用激光照射所造成的封装失效。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明的技术方案提供了一种封装方法,包括:
在第一基板的封装区域上形成玻璃料层;
在所述第一基板上的所述玻璃料层上形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜,在第二基板的封装区域上均形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜,且形成在所述玻璃料层上的最外层薄膜与形成在所述第二基板封装区域上的最外层薄膜中一个为金属薄膜,另一个为硅薄膜;
将所述第一基板与所述第二基板进行真空压合。
进一步地,在所述第一基板上的所述玻璃料层上形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜,在第二基板的封装区域上均形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜包括:
在所述第一基板上的所述玻璃料层上以及所述第二基板的封装区域上均形成多层金属薄膜和多层硅薄膜,且每一层金属薄膜与每一层硅薄膜交替形成。
进一步地,所述多层金属薄膜中每一层金属薄膜的厚度为2nm~20nm,所述多层硅薄膜中每一层硅薄膜的厚度为2nm~30nm。
进一步地,所述多层金属薄膜中每一层金属薄膜的材料为以下的任意一种或多种:Fe、Cu、Al、Au、Sn。
进一步地,所述玻璃料层的厚度为3μm~10μm。
进一步地,所述真空压合的真空度不高于10-5Pa,封装压力为1MPa~10MPa。
为解决上述技术问题,本发明还提供了一种显示面板,包括第一基板、第二基板以及位于封装区域以将所述第一基板与所述第二基板密封的封装结构,所述封装结构包括位于所述第一基板与第二基板之间的玻璃料层以及位于所述玻璃料层与所述第二基板之间由金属薄膜和硅薄膜形成的堆叠结构,且每一层金属薄膜与其相邻的硅薄膜之间还形成有金属硅化物层。
进一步地,所述堆叠结构包括多层金属薄膜和多层所述硅薄膜,且在所述堆叠结构中,每一层金属薄膜与每一层硅薄膜间隔设置。
进一步地,所述金属薄膜的材料为以下的任意一种或多种:Fe、Cu、Al、Au、Sn。
为解决上述技术问题,本发明还提供了一种显示装置,其特征在于,包括上述任一的显示面板。
(三)有益效果
本发明通过在玻璃料的表面以及与之对应的基板的表面形成金属薄膜和硅薄膜,再在高真空环境加压,使各层薄膜相互反应从而完成两基板间的密封,由于上述过程中不需要使用激光照射玻璃料层,因此能够避免激光产生的高温对封装产生的不良影响。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的一种封装方法的流程图;
图2是本发明实施方式提供的一种OLED显示面板的制作流程图;
图3是本发明实施方式提供的一种显示面板的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
图1是本发明实施方式提供的一种封装方法的流程图,包括:
S11:在第一基板的封装区域上形成玻璃料层;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510058588.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





