[发明专利]一种温度控制方法及工业电炉控制系统有效
| 申请号: | 201510054888.1 | 申请日: | 2015-02-02 |
| 公开(公告)号: | CN104699135B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
| 发明(设计)人: | 冯模开;万仁勇 | 申请(专利权)人: | 武汉辉达工控技术有限公司 |
| 主分类号: | G05D23/19 | 分类号: | G05D23/19 |
| 代理公司: | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人: | 刘杰 |
| 地址: | 430035 湖北省武汉市硚口区古田*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 温度 控制 方法 工业电炉 控制系统 | ||
技术领域
本发明涉及温度控制技术领域,尤其涉及一种温度控制方法及工业电炉控制系统。
背景技术
当前,在工业电炉控制系统中,主要为单区温度监控系统,故监测控制的温度只是电炉的某一部分温度,不能准确监控整个加热电炉的温度和加热情况。电炉监测温度是整个控温系统中温度控制算法的最初参考值,测量温度的准确度将影响到温控系统的性能,采用单区加热控温监测系统,难以保证整个炉体温度的均衡性。
也就是说,现有技术中的工业电炉控制系统,为单区温度监控系统,只能检测电炉某一部分的温度,存在整个炉体温度的均衡性差的技术问题。
发明内容
本发明通过提供一种温度控制方法及工业电炉控制系统,解决了现有技术中的工业电炉控制系统,为单区温度监控系统,只能检测电炉某一部分的温度,存在的整个炉体温度的均衡性差的技术问题。
一方面,本申请实施例提供了如下技术方案:
一种温度控制方法,所述方法应用于工业电炉控制系统中,所述系统包括N组控制电路;所述N组控制电路与所述电炉的N个区域一一连接;N大于等于3,所述N组控制电路中的每组控制电路包括:温度控制器,所述方法包括:
接收预设的第一温度值;
通过所述温度控制器中的比例积分微分控制器控制所述N个区域的温度均处于所述第一温度值;
检测获得每个所述温度控制器的输出功率值,共N个输出功率值,并计算出所述N个输出功率值之间的功率比例关系;
设置每个所述温度控制器的输出功率上限值,共N个输出功率上限值,以使得所述N个输出功率上限值符合所述功率比例关系,且功率最大温度控制器的输出功率上限值等于预设的最大额定功率值;其中,所述功率最大温度控制器为所述N组控制电路的N个温度控制器中输出的所述输出功率值最大的温度控制器;
当接收到第二温度值时,每个所述温度控制器分别根据自身的所述输出功率上限值和所述第二温度值,通过所述比例积分微分控制器控制所述N个区域的温度均处于所述第二温度值。
可选的,在通过所述温度控制器中的比例积分微分控制器控制所述N个区域的温度均处于所述第一温度值之后,还包括:检测获得每个所述温度控制器的输出电流值,共N个输出电流值,并计算出所述N个输出电流值之间的电流比例关系;设置每个所述温度控制器的输出电流上限值,共N个输出电流上限值,以使得所述N个输出电流上限值符合所述电流比例关系,且电流最大温度控制器的输出电流上限值等于预设的最大额定电流值;其中,所述电流最大温度控制器为所述N个温度控制器中输出的所述输出电流值最大的温度控制器。
可选的,所述每组控制电路还包括:温度传感器、可控硅组件和加热负载;所述通过所述温度控制器中的比例积分微分控制器控制所述N个区域的温度均处于所述第一温度值,具体为:通过所述温度传感器,采集每个所述区域的当前温度值;根据所述第一温度值和所述当前温度值,通过所述温度控制器中的比例积分微分控制器控制所述可控硅组件的导通大小,进而控制与所述可控硅组件连接的加热负载发热,以使与所述加热负载连接的所述区域的温度处于所述第一温度值,进而使所述N个区域的温度均处于所述第一温度值。
可选的,所述每个所述温度控制器分别根据自身的所述输出功率上限值和所述第二温度值,通过所述比例积分微分控制器控制所述N个区域的温度均处于所述第二温度值,具体为:通过所述温度传感器,采集每个所述区域的当前温度值;每个所述温度控制器分别根据自身的所述输出功率上限值、所述第二温度值和所述当前温度值,通过所述比例积分微分控制器控制所述可控硅组件的导通大小,进而控制与所述可控硅组件连接的加热负载发热,以使与所述加热负载连接的所述区域的温度处于所述第二温度值,进而使所述N个区域的温度均处于所述第二温度值。
另一方面,还提供一种工业电炉控制系统,所述系统用于控制电炉的N个区域的温度,所述系统包括:通讯管理模块和N组控制电路;N大于等于2,所述N组控制电路中的每组控制电路包括:
温度传感器、温度控制器、可控硅组件和加热负载;所述N个区域中的每个区域均固定有一所述加热负载和一所述温度传感器,以检测所述每个区域的当前温度值;所述温度控制器连接于所述温度传感器和所述可控硅组件之间,所述可控硅组件连接于所述温度控制器和所述加热负载之间;所述温度控制器与所述通讯管理模块连接;
所述温度控制器包括:
通讯单元,与所述通讯管理模块连接,以接收所述通讯管理模块发送的第一温度值;
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