[发明专利]一种具有重布线层的半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510052915.1 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN104659015B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 叶佳明 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 布线 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有重布线层的半导体结构，其特征在于，包括：
芯片，具有一有源面，所述有源面上包括第一连接垫与第二连接垫，所述第一连接垫与所述芯片内部的元器件电性连接；
钝化层，覆盖于所述有源面之上，并裸露出至少部分的所述第一连接垫和至少部分的第二连接垫；
重布线层，位于所述钝化层之上，并覆盖至少部分所述第一连接垫和覆盖部分所述第二连接垫，以将所述第一连接垫与第二连接垫电性连接；
所述第二连接垫未被所述重新布线层和钝化层覆盖的部分裸露在外，以作为所述芯片与外部实现电性互连的互连焊区。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二连接垫在没有所述重布线层的情况下与所述芯片内部的元器件相绝缘。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二连接垫在没有所述重布线层的情况下与所述芯片内部的元器件电性连接。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括金属引线和引线框架，所述芯片的非有源面粘贴于所述引线框架的承载盘之上，所述非有源面为与所述有源面相对的一面，所述互连焊区通过所述金属引线与所述引线框架的引脚相连。
5.一种具有重布线层的半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
在芯片的有源面上形成第一连接垫与第二连接垫，使所述第一连接垫与所述芯片内部的元器件电性连接；
在所述有源面、第一连接垫以及第二连接垫的表面覆盖钝化层，且将所述钝化层进行开口处理，以裸露出至少部分的所述第一连接垫和至少部分的第二连接垫；
利用掩模选择性的在所述钝化层、第一连接垫以及第二连接垫之上形成重布线层，使所述重布线层覆盖至少部分的所述第一连接垫和覆盖一部分所述第二连接垫，且将所述第一连接垫和第二连接垫电连接，
使所述第二连接垫未被所述重布线层和钝化层覆盖的部分裸露在外，以作为所述芯片与外部实现电性互连的互连焊区。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述第二连接垫时，使所述第二连接垫与所述芯片内部的元器件电性连接。
7.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述第二连接垫时，使所述第二连接垫与所述芯片内部的元器件相绝缘。
8.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括提供金属引线与引线框架，将所述芯片的非有源面粘贴于所述引线框架的承载盘之上，且将所述互连焊区通过所述金属引线与所述引线框架的引脚相连。
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