[发明专利]过电流保护元件有效
申请号: | 201510052876.5 | 申请日: | 2015-02-02 |
公开(公告)号: | CN105321639B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 陈国勋;曾于轩;沙益安 | 申请(专利权)人: | 聚鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02;H01C7/13 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;赵根喜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电填料 过电流保护元件 金属箔片 结晶性高分子聚合物 体积电阻 导电陶瓷粉末 电阻再现性 保护回路 导电回路 金属粉末 碳黑粉末 过电流 电源 | ||
1.一种过电流保护元件,其特征在于,包括:
二金属箔片;以及
一PTC材料层,叠设于所述二金属箔片之间,且其体积电阻值在0.07至0.45Ω· cm的范围,其包含:
至少一结晶性高分子聚合物;
第一导电填料,其为碳黑粉末;
第二导电填料,选自至少一种的金属粉末、导电陶瓷粉末或其组合,第二导电填料的粒径大小介于0.1μm至50μm之间,且体积电阻值小于0.1Ω· cm;
其中所述第一导电填料和第二导电填料分散于所述结晶性高分子聚合物之中,且第二导电填料除以第一导电填料的重量比值大于等于1且小于4;
其中所述过电流保护元件的电阻再现性R300/Ri比值在1.5~5,Ri为起始电阻值,R300为触发300次后的电阻值。
2.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其中所述结晶性高分子聚合物占PTC材料层的重量百分比为10%~30%,第一导电填料占PTC材料层的重量百分比为15%~40%,第二导电填料占PTC材料层的重量百分比介于30%~70%。
3.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其中所述过电流保护元件的电阻再现性R300/Ri比值在1.5~3。
4.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其中所述过电流保护元件的电阻再现性R100/Ri比值在1~3,R100为触发100次后的电阻值。
5.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其中所述过电流保护元件可通过16V/50A的300次循环寿命测试而无烧毁。
6.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其中所述结晶性高分子聚合物选自:聚烯烃类聚合物、烯烃类单体与压克力类单体的共聚合物、烯烃类单体与乙烯醇类单体的共聚合物及其组合。
7.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其中所述结晶性高分子聚合物选自:高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、聚乙烯蜡、乙烯聚合物、聚丙烯、聚氯乙烯、聚氟乙烯、乙烯-压克力酸共聚合物、乙烯-压克力脂共聚合物、乙烯-乙烯醇共聚合物及其组合。
8.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其中所述金属粉末选自镍、钴、铜、铁、锡、铅、银、金、铂及其合金。
9.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其中所述导电陶瓷粉末选自:碳化钨、碳化钒、碳化钛、碳化硼、碳化硅、碳化锗、碳化钽、碳化锆、碳化铬、碳化钼、硼化钛、硼化钒、硼化锆、硼化铌、硼化钼、硼化铪、氮化锆及其组合。
10.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其中所述第二导电填料包含碳化钛,且可通过30V/50A的循环寿命测试而无烧毁。
11.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其中碳黑粉末的粒径大小介于15nm至75nm。
12.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其中所述PTC材料层的厚度大于0.1mm。
13.根据权利要求1所述的过电流保护元件,其中所述金属箔片含瘤状突出的粗糙表面,并与所述PTC材料层直接物理性接触。
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