[发明专利]一种化合物半导体器件的去嵌入方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件的去嵌入方法，其特征在于，包括：

分析化合物半导体器件的在片测试结构，确定化合物半导体器件产生的寄生效应；以及

根据产生的寄生效应，从外至内逐级去除寄生效应。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的去嵌入方法，其特征在于，所述分析化合物半导体器件的在片测试结构，确定化合物半导体器件产生的寄生效应，具体包括：

分析化合物半导体器件的在片测试结构，确定化合物半导体器件产生的寄生效应从外至内依次为：金属焊盘寄生效应、金属互联转换结构寄生效应、传输线寄生效应和背孔寄生效应。

3.根据权利要求2所述的化合物半导体器件的去嵌入方法，其特征在于，所述根据产生的寄生效应，从外至内逐级去除寄生效应，具体包括：

通过矩阵的级联关系，从外至内依次去除金属焊盘寄生效应、金属互联转换结构寄生效应、传输线寄生效应和背孔寄生效应，将参考平面去嵌到本征器件输入输出端口，从而得到化合物半导体射频器件的本征参数。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件的去嵌入方法，其特征在于，所述化合物半导体器件是具有射频特性的化合物半导体场效应晶体管。

5.根据权利要求2或3所述的化合物半导体器件的去嵌入方法，其特征在于，所述金属焊盘寄生效应，是用于实现探针接触的金属焊盘产生的寄生效应，包括两个金属焊盘的前向传输线和后向开路传输线产生的寄生效应，以及金属焊盘之间的串扰电容产生的寄生效应。

6.根据权利要求2或3所述的化合物半导体器件的去嵌入方法，其特征在于，所述金属互联转换结构寄生效应，是用于金属焊盘到传输线的平缓过度的金属互联转换结构产生的寄生效应，金属互联转换结构由集总LC等效结构构成，而金属互联转换结构之间的串扰电容被归并到其他两个串扰电容中去。

7.根据权利要求2或3所述的化合物半导体器件的去嵌入方法，其特征在于，所述传输线寄生效应，是用于连接本征器件输出的传输线产生的寄生效应，包括两边传输线和两者之间的串扰电容产生的寄生效应。

8.根据权利要求2或3所述的化合物半导体器件的去嵌入方法，其特征在于，所述背孔寄生效应，是用于实现共源极接地的背孔产生的寄生效应。