[发明专利]改善IGBT背面金属化的工艺方法有效
| 申请号： | 201510050448.9 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104637803B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 迟延庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 igbt 背面 金属化 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善绝缘栅双极型晶体管背面金属化的工艺方法，其特征在于，包括：方法A；方法A，包括步骤：
1)进行背面注入、激光退火和金属Al淀积；
所述背面注入包括：使用N型杂质进行背面场截止层的注入；使用P型杂质进行背面集电极的注入；
步骤1)的激光退火的退火能量在1.0J/CM2到5.0J/CM2之间；
Al的淀积的厚度不超过3000埃；
2)激光退火；
所述步骤2)中，激光退火的条件由激光器的种类和功率决定，并要求在以下的条件下进行：
在能实现Al和半导体之间形成合金接触、且不引起Al液化的条件下进行；
3)进行TiNiAg淀积。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2)中，激光退火的条件为：对于绿光激光器，激光能量在0.5J/CM2～1J/CM2之间。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3)中，淀积的方法包括：通过溅射或者蒸发的方法。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3)中，TiNiAg淀积的总厚度不超过5μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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