[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备：

形成半导体晶片的工序，该半导体晶片具有：多个半导体装置，它们隔着切割区域而配置；以及在线检查用监视器，其配置在所述切割区域内；

在形成所述半导体晶片之后，利用所述在线检查用监视器进行所述半导体装置的在线检查的工序；以及

在所述在线检查之后，沿着所述切割区域对所述半导体晶片进行切割，将所述多个半导体装置逐个地分离的工序，

形成所述半导体晶片的工序具有：

将所述半导体装置的第1扩散层和所述在线检查用监视器的第2扩散层同时地形成的工序；

在所述第1扩散层及第2扩散层上同时地形成金属层的工序；以及

将所述第2扩散层上的所述金属层的至少一部分去除的工序，

在切割所述半导体晶片时，在所述第2扩散层上，利用切割刀片将去除了所述金属层的部分切断。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成所述半导体晶片的工序还具有：

在形成所述金属层之前，在所述第1扩散层及第2扩散层上，同时地形成阻挡金属的工序；以及

将所述阻挡金属图案化，而分离为在所述第1扩散层及第2扩散层上分别配置的第1阻挡金属及第2阻挡金属的工序，

在进行所述在线检查时，使检查针与所述第2阻挡金属接触。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成所述半导体晶片的工序还具有下述工序，即，

进行热处理，在所述第1扩散层及第2扩散层和所述金属层之间分别同时地形成第1硅化物及第2硅化物的工序，

在进行所述在线检查时，使检查针与所述第2硅化物接触。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成所述半导体晶片的工序还具有：

将所述金属层图案化，而分离为在所述第1扩散层及第2扩散层上分别配置的第1金属层及第2金属层的工序；以及

将所述第2金属层的一部分去除，在所述第2金属层上形成槽的工序，

在进行所述在线检查时，使检查针与所述第2金属层接触，

在切割所述半导体晶片时，利用所述切割刀片将所述槽的部分切断。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述槽的宽度比所述检查针的直径小，比所述切割刀片的宽度大。