[发明专利]隔离型NLDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种隔离型NLDMOS器件，其特征在于，在P型硅衬底上形成有左N型深阱、右N型深阱两个独立的N型深阱；

所述左N型深阱，左部形成有一P阱；

所述P阱，左部形成有一P型重掺杂区及一源端N型重掺杂区；

所述P阱右部上方及所述左N型深阱右部上方，形成有栅氧化层；

所述左N型深阱同所述右N型深阱之间的P型硅衬底上方，及所述右N型深阱左部上方，形成有场氧；

所述右N型深阱，右部形成有一漏端N型重掺杂区；

所述场氧左部上方及所述栅氧化层上方，形成有栅极多晶硅；

所述场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中，形成有漂移P型注入区；

所述漂移P型注入区，右部为分段间隔状，左部不分割；

所述漂移P型注入区右部，为漂移P型注入区的1/2到2/3。

2.根据权利要求1所述的隔离型NLDMOS器件，其特征在于，

所述场氧右部上方形成有漏端多晶硅场板；

层间介质覆盖在器件表面；

所述P型重掺杂区同所述源端N型重掺杂区通过穿过层间介质的一金属短接在一起；

所述漏端N型重掺杂区同所述漏端多晶硅场板通过穿过层间介质的另一金属短接在一起。

3.根据权利要求1所述的隔离型NLDMOS器件，其特征在于，

所述P阱中形成有一源端P型注入区。

4.一种隔离型NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.在P型硅衬底上通过N型离子注入形成左N型深阱、右N型深阱两个独立的N型深阱；

二.利用有源区光刻，打开场氧区域，刻蚀场氧区，在左N型深阱同右N型深阱之间的P型硅衬底上方，及右N型深阱左部上方，生长场氧；

三.光刻打开阱注入区域，在左N型深阱左部注入P型离子形成P阱；

四.在所述场氧下方进行P型离子注入，在场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中形成有漂移P型注入区；

所述漂移P型注入区，右部为分段间隔注入，左部为不分割注入；

所述漂移P型注入区右部，为漂移P型注入区的1/2到2/3；

五.进行后续工艺步骤，完成隔离型NLDMOS器件的制作。

5.根据权利要求4所述的隔离型NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，

步骤五中的后续工艺步骤，包括：

(一).在硅片上，通过热氧化方法生长栅氧化层，淀积多晶硅；然后进行多晶硅栅刻蚀，形成隔离型NLDMOS器件的栅极多晶硅及漏端多晶硅场板；

所述栅极多晶硅，位于所述P阱右部上方、所述左N型深阱右部上方及所述场氧左部上方；

所述漏端多晶硅场板，位于所述场氧右部上方；

(二).选择性的进行源漏离子注入，在所述P阱左部分别形成P型重掺杂区和源端N型重掺杂区，在所述右N型深阱右部形成漏端N型重掺杂区；

(三).在硅片上，淀积层间介质，刻蚀出接触孔，然后淀积金属，再刻蚀出所需图案，形成隔离型NLDMOS器件的源端和本底区的引出金属，及漏端的引出金属，最后完成隔离型NLDMOS器件的制作。

6.根据权利要求4所述的隔离型NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，

步骤四中，同时在所述P阱内进行P型离子注入，在所述P阱中形成有一源端P型注入区。

7.根据权利要求4所述的隔离型NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，

步骤四中，所述漂移P型注入区右部，为分段等间隔注入。

8.根据权利要求4所述的隔离型NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，

步骤四中，注入的P型离子为硼离子，注入能量为1000kev到1500kev，注入剂量为1E12到1E14个每平方厘米。