[发明专利]一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法在审

专利信息
申请号: 201510047816.4 申请日: 2015-01-30
公开(公告)号: CN104637801A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 李诚瞻;刘可安;赵艳黎;周正东;吴佳;杨勇雄;丁荣军 申请(专利权)人: 株洲南车时代电气股份有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/04
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;陈伟
地址: 412001 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 sic mosfet 氧化 方法
【权利要求书】:

1.一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法,包括:在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层,然后在500~1000℃,优选700~800℃下包含Cl2的环境中退火该栅氧化层。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,使用惰性气体与Cl2的混合气体退火,混合气体中Cl2的体积含量为1%~10%,优选1%~3%。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,Cl2以0.5~2slm的速率通入,退火压力为100~1000mbar,保持时间30~180min。

4.一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法,包括:

步骤一、将SiC外延片升温至氧化温度的升温过程;

步骤二、氧化温度下,在SiC外延片上生长SiO2栅介质层的氧化过程;

步骤三、将生长有SiO2栅介质层的SiC外延片降温至退火温度的降温过程;

步骤四、退火温度下通入Cl2与惰性气体的混合气体,对生长有SiO2栅介质层的SiC外延片进行退火的退火过程;和

步骤五、将退火后的生长有SiO2栅介质层的SiC外延片降温的冷却过程。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述升温过程为将RCA清洗后的SiC外延片置于高温氧化炉中,升温至1000~1400℃,优选1300~1400℃的氧化温度。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述氧化过程为在氧化温度下,以0.5~2slm的速率向炉腔内通入氧化气体O2或H2O,设定炉腔压力为100~1000mbar,保持时间10~180min。

7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述降温过程为将高温氧化炉内的温度降至500~1000℃,优选700~800℃的退火温度。

8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述退火过程为在退火温度下,以0.5~2slm的速率向炉腔内通入Cl2与惰性气体的混合气体退火SiO2栅介质层,设定炉腔压力为100~1000mbar,保持时间30~180min。

9.根据权利要求4或8所述的方法,其特征在于,混合气体中Cl2的体积含量为1%~10%,优选1%~3%。

10.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述冷却过程为在惰性气氛中自然降温至室温。

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