[发明专利]一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法在审
申请号: | 201510047816.4 | 申请日: | 2015-01-30 |
公开(公告)号: | CN104637801A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 李诚瞻;刘可安;赵艳黎;周正东;吴佳;杨勇雄;丁荣军 | 申请(专利权)人: | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/04 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;陈伟 |
地址: | 412001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 sic mosfet 氧化 方法 | ||
1.一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法,包括:在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层,然后在500~1000℃,优选700~800℃下包含Cl2的环境中退火该栅氧化层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,使用惰性气体与Cl2的混合气体退火,混合气体中Cl2的体积含量为1%~10%,优选1%~3%。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,Cl2以0.5~2slm的速率通入,退火压力为100~1000mbar,保持时间30~180min。
4.一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法,包括:
步骤一、将SiC外延片升温至氧化温度的升温过程;
步骤二、氧化温度下,在SiC外延片上生长SiO2栅介质层的氧化过程;
步骤三、将生长有SiO2栅介质层的SiC外延片降温至退火温度的降温过程;
步骤四、退火温度下通入Cl2与惰性气体的混合气体,对生长有SiO2栅介质层的SiC外延片进行退火的退火过程;和
步骤五、将退火后的生长有SiO2栅介质层的SiC外延片降温的冷却过程。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述升温过程为将RCA清洗后的SiC外延片置于高温氧化炉中,升温至1000~1400℃,优选1300~1400℃的氧化温度。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述氧化过程为在氧化温度下,以0.5~2slm的速率向炉腔内通入氧化气体O2或H2O,设定炉腔压力为100~1000mbar,保持时间10~180min。
7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述降温过程为将高温氧化炉内的温度降至500~1000℃,优选700~800℃的退火温度。
8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述退火过程为在退火温度下,以0.5~2slm的速率向炉腔内通入Cl2与惰性气体的混合气体退火SiO2栅介质层,设定炉腔压力为100~1000mbar,保持时间30~180min。
9.根据权利要求4或8所述的方法,其特征在于,混合气体中Cl2的体积含量为1%~10%,优选1%~3%。
10.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述冷却过程为在惰性气氛中自然降温至室温。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造