[发明专利]用于生长外延晶体的半导体衬底及半导体器件在审
| 申请号： | 201510045666.3 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104681411A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 阿列克谢·伊瓦诺夫;朱廷刚;伊迪亚·乔德瑞;苗操;王科;王东盛;张葶葶;魏鸿源 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李艳 |
| 地址： | 215600 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 生长 外延 晶体 半导体 衬底 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于生长外延晶体的半导体衬底，其特征在于：包括基层、与所述基层一体成形的应力释放层，所述应力释放层包括若干通过激光蚀刻形成于所述基层表面的纳米结构的凸起，相邻的所述凸起之间的距离小于10纳米。
2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其特征在于：该衬底由Si、Ge、蓝宝石、SiC、III族氮氧化物、III族砷化物、III族磷化物中一种或几种制成。
3.一种半导体器件，其特征在于：包括如权利要求1所述的半导体衬底和形成于所述应力释放层上的一或多层外延层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述衬底由Si、Ge、蓝宝石、SiC、III族氮氧化物、III族砷化物、III族磷化物中一种或几种制成。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述外延层由Si、Ge、蓝宝石、SiC、III族氮氧化物、III族砷化物、III族磷化物中一种或几种制成。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述衬底和外延层均由III族氮氧化物或III族砷化物或III族磷化物制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
