[发明专利]利用编程操纵器的表面层剥离有效
| 申请号: | 201510045475.7 | 申请日: | 2015-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN104821284B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
| 发明(设计)人: | A.巴克斯鲍姆;M.施密特 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;G01N1/28 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;张懿 |
| 地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 编程 操纵 表面 剥离 | ||
1.一种设备,用于在原位层剥离样品以用于错误隔离和缺陷局部化,所述设备包括:
光学器件,用于产生沿光轴的射束;
真空腔室;
运动载台,与真空腔室定位在一起,用于支撑用于表面层剥离的样品,运动载台能够相对于光轴移动;以及
致动器,具有与其连接的层剥离探针,层剥离探针包括具有线性切割边缘的层剥离探针尖端,所述致动器被配置成使得所述层剥离探针尖端在与所述线性切割边缘垂直的方向上的移动从样品剥除材料层,被剥除的材料层具有与所述线性切割边缘的宽度基本相等的宽度。
2.根据权利要求1的设备,其中层剥离探针尖端被定位成:在真空腔室内执行表面层剥离同时被所述光学器件观测。
3.根据权利要求1或权利要求2的设备,其中层剥离探针尖端的所述线性切割边缘具有50μm或更小的宽度。
4.根据权利要求3的设备,其中所述线性切割边缘的宽度在10μm到50μm的范围内。
5.根据权利要求2或权利要求4的设备,其中层剥离探针被安装在致动器内以便以50°或更小的角度接触样品的表面。
6.根据权利要求5的设备,其中层剥离探针被连接到致动器以便层剥离探针尖端以45°和50°之间的角度接触样品的表面。
7.根据权利要求1或权利要求2的设备,其中层剥离探针尖端由钨制成。
8.根据权利要求1或权利要求2的设备,其中光学器件是带电粒子束器件。
9.一种在原位层剥离样品以用于错误隔离和缺陷局部化的方法,包括:
把样品安装在可移动载台上;
把样品的目标区域与光束轴对准;
在与层剥离探针尖端的线性切割边缘垂直的方向上移动具有线性切割边缘的层剥离探针尖端以便从样品表面剥除材料层以暴露下层,所述线性切割边缘剥除具有与所述线性切割边缘的宽度基本相等的宽度的剥除层;以及
以电气方式探测暴露表面以确定电气失效的位置。
10.根据权利要求9的方法,进一步包括重复如下步骤直到错误被定位:移动所述层剥离探针尖端,以及以电气方式探测暴露表面。
11.根据权利要求9或10的方法,其中移动所述层剥离探针尖端包括:横跨所述表面移动所述层剥离探针尖端一次,以便剥除具有与所述线性切割边缘的宽度基本相等的宽度的剥除层。
12.根据权利要求9或权利要求10的方法,其中所述探针尖端的切割边缘具有50μm或更小的宽度。
13.根据权利要求9或权利要求10的方法,其中所述层剥离探针尖端以50°或更小的角度接触样品表面。
14.根据权利要求9或权利要求10的方法,其中所述层剥离探针尖端由钨制成。
15.根据权利要求9或权利要求10的方法,其中所述层剥离探针尖端在45°到50°的范围内接触样品表面。
16.根据权利要求9或权利要求10的方法,其中移动所述层剥离探针尖端以剥除层在带电粒子束系统的真空腔室中被执行。
17.根据权利要求14的方法,进一步包括:使用带电粒子束来观测所述样品表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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