[发明专利]电子器件和用于制造电子器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括：

提供都连接到输送装置的第一半导体芯片和第二半导体芯片；

提供载体；

将所述第一半导体芯片和第二半导体芯片同时附着到所述载体；以及

其中附着所述第一半导体芯片包括焊接，而附着所述第二半导体芯片包括胶合。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述输送装置包括粘合箔。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体芯片和第二半导体芯片附着到所述载体，使得所述第一半导体芯片和第二半导体芯片的第二主面面向所述载体，且所述第一半导体芯片和第二半导体芯片中与所述第二主面相对的第一主面是共面的。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述方法是配置成并行地制造多个半导体器件的分批方法。

5.如权利要求1所述的方法，其中将所述第一半导体芯片和第二半导体芯片附着到所述载体包括施加不大于260℃的热。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二半导体芯片包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面；

其中所述第二半导体芯片被定向成使得它的第二主面面向所述载体；以及

其中在胶合期间，胶被施加，使得所述胶包括与所述第二半导体芯片的所述第一主面共面的上面。

7.如权利要求2所述的方法，还包括：

移除所述粘合箔。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述载体包括配置成保持所述第二半导体芯片的腔。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述载体包括引线框。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体芯片和第二半导体芯片包括集成电路芯片、功率芯片和二极管中的一个或多个。

11.一种电子器件，包括：

第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片和第二半导体芯片均包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面；以及

载体，

其中所述第一半导体芯片使用焊料附着到所述载体，使得它的第二主面面向所述载体，

其中所述第二半导体芯片使用胶附着到所述载体，使得它的第二主面面向所述载体，

其中所述胶包括与所述第二半导体芯片的所述第一主面共面的上面。

12.如权利要求11所述的电子器件，其中所述第一半导体芯片的所述第一主面与所述第二半导体芯片的所述第一主面共面，使得在共面性中的误差不大于20μm。

13.如权利要求11所述的电子器件，还包括第三半导体芯片。

14.如权利要求11所述的电子器件，还包括配置成密封所述第一半导体芯片和第二半导体芯片的密封剂。

15.如权利要求14所述的电子器件，其中所述密封剂包括铸模和层压材料中的一个或多个。

16.如权利要求11所述的电子器件，其中所述胶被配置成从所述第二半导体芯片耗散掉热。

17.如权利要求11所述的电子器件，其中所述第二半导体芯片电连接到所述载体。

18.一种电子器件，包括：

第一半导体芯片和第二半导体芯片，每一个半导体芯片包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面；以及

载体，

其中所述第一半导体芯片使用焊料附着到所述载体，使得它的第二主面面向所述载体，

其中所述第二半导体芯片使用胶附着到所述载体，使得它的第二主面面向所述载体，

其中在所述第一半导体芯片的所述第一主面所跨越的第一平面和所述第二半导体芯片的所述第一主面所跨越的第二平面之间的高度差不大于20μm。

19.如权利要求18所述的电子器件，其中所述第一半导体芯片和第二半导体芯片示出不大于5μm的在厚度上的差异。

20.如权利要求18所述的电子器件，其中所述第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一个具有水平晶体管结构，而另一半导体芯片具有垂直晶体管结构。