[发明专利]一种氮化增强表面的燃料电池用双极板及其制备方法有效
| 申请号: | 201510042295.3 | 申请日: | 2015-01-27 |
| 公开(公告)号: | CN104577144B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
| 发明(设计)人: | 林国强;韩治昀;魏科科 | 申请(专利权)人: | 大连理工常州研究院有限公司 |
| 主分类号: | H01M4/88 | 分类号: | H01M4/88;H01M4/86;H01M4/96 |
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| 地址: | 213164 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氮化 增强 表面 燃料电池 极板 及其 制备 方法 | ||
1.一种氮化增强表面的燃料电池用双极板的制备方法,其特征在于:将不锈钢板或钛合金板基体(1)经清洗、干燥后置于真空电弧离子镀设备内,在真空条件下通入氮气及氢气,开启偏压和热丝,制备氮化层(2),所述氮化层制备过程中真空室温度为100~400℃,真空室内气压维持在0.1Pa~3Pa,偏压设置为-1000V~-400V;通入氩气、氮气混合气体,开启铬靶,制备氮化铬薄膜(3),开启碳靶,制备碳基纳米复合导电薄膜(4);
所述不锈钢板或钛合金板基体(1)两侧表面上依次制备有氮化层(2)、氮化铬薄膜(3)及碳基纳米复合导电薄膜(4);
所述氮化层(2)的厚度为0.1μm~20μm,所述氮化铬薄膜(3)的厚度为0.1μm~20μm,所述碳基纳米复合导电薄膜(4)的厚度为0.1μm~20μm;
所述氮化铬薄膜(3)及碳基纳米复合导电薄膜(4)中碳元素、氮元素含量沿垂直于不锈钢板或钛合金板基体(1)方向呈梯度连续分布;
该方法包括以下具体顺序步骤:
(1)氮化层制备
将不锈钢板或钛合金板基体(1)放入超声清洗设备中进行清洗,并在真空干燥炉中进行干燥后,放入脉冲偏压电弧离子镀设备真空室内,将真空室内真空抽至0.001Pa~0.5Pa后,将真空室加热至100~400℃,通入氮气及氢气,使得真空室内气压维持在0.1Pa~3Pa,偏压设置为-1000V~-400V,开启热丝,开始制备氮化层(2),完毕后,关闭氮气及氢气;
(2)离子溅射清洗
关闭热丝,将真空室内真空抽至0.001~0.05Pa后,向真空室内通入氩气,使真空室内气压维持在0.1Pa~3Pa,偏压设置为-1000V~0,进行氩离子溅射清洗,时间为10~20mins,完毕后,调整通入氮气的流量,使真空室内气压维持在0.1Pa~1Pa,偏压设置为-1000V~0,开启铬靶,进行铬离子溅射清洗,时间为2.5~5mins;
(3)沉积氮化铬薄膜和碳基纳米复合导电薄膜
通入氩气与氮气混合气体,使真空压强维持在0.1Pa~1Pa,偏压设置为-500V~0,进行氮化铬薄膜(3)制备,完毕后,控制通入的氮气、氩气流量,使真空室内压强维持在0.1Pa~1Pa,偏压设置为-500V~0,开启碳靶,进行碳基纳米复合导电薄膜(4)制备。
2.根据权利要求1所述的一种氮化增强表面的燃料电池用双极板的制备方法,其特征在于,所述制备氮化层步骤后且制备氮化铬薄膜步骤前进行以下步骤:通入氩气,进行氩离子溅射清洗和进行铬离子溅射清洗。
3.根据权利要求1所述的一种氮化增强表面的燃料电池用双极板的制备方法,其特征在于:所述的步骤(1)中,通入的氮气的流量为20SCCM~3000SCCM,通入的氢气的流量为10SCCM~1500SCCM;施加偏压的占空比为10%~90%,工作频率为5KHz~40KHz;热丝两端电流设置为20A-100A,电压为30V-100V;氮化层制备的持续时间为10mins~180mins。
4.根据权利要求1所述一种氮化增强表面的燃料电池用双极板的制备方法,其特征在于:所述的步骤(2)中,氩离子溅射清洗时施加偏压的占空比10%~90%,工作频率为5KHz~40KHz;铬离子溅射清洗时施加偏压的占空比为10%~90%,工作频率为5KHz~40KHz;铬靶的电流设置为0~120A。
5.根据权利要求1所述的一种氮化增强表面的燃料电池用双极板的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中,制备氮化铬薄膜(3)时,通入氮气的流量为20SCCM~1500SCCM,此时通入氩气的流量使氩气/氮气气压比为0~0.01,最终使真空室内压强维持在0.1Pa~1Pa;设置偏压的占空比为10%~90%,工作频率为5KHz~40KHz;设置铬靶弧电流为60A~120A;氮化铬薄膜(3)的制备时间为10mins~180mins。
6.根据权利要求1所述的一种氮化增强表面的燃料电池用双极板的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中,制备纳米复合导电薄膜(4)时,以递减梯度为50SCCM~200SCCM/min减小通入氮气流量,持续5mins~10mins,最终使得氮气流量为0,氩气流量为20SCCM~1000SCCM;设置碳靶弧电流为50A~80A,同时改变铬靶电流值,使得铬靶/碳靶弧电流比值为0.25~2;设置偏压为-500V~0,占空比为10%~90%,工作频率为5KHz~40KHz;制备碳基纳米复合导电薄膜(4)过程总时间为5mins~120mins。
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