[发明专利]一种有机半导体材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种有机半导体材料的制备方法，其特征在于，

所述有机半导体材料的结构式如下：

其中，Ar为缺电子性共轭单元；π为含有碳碳双键、碳氮键的共轭单元；0<x<1，0<y<1，x+y＝1；m为0到10000的自然数；n为1到10000的自然数；

R₁为具有1到30碳原子数的烷基链；

所述有机半导体材料的制备方法包括以下步骤：

(1)将式2所示的化合物和式3所示的化合物在一价铜的催化作用下发生点击化学反应，得到式4所示的化合物；

其中，Y为氢原子、三甲基硅基或者三异丙基硅基，X为氢原子、卤原子、硼酸基团、硼酸酯基团或三烷基锡基团；R₂的定义等同于R₁；

(2)以式4所示的化合物为原料，通过聚合反应合成如式1所示的有机半导体材料。

2.根据权利要求1所述的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述Ar为亚乙烯基、亚乙炔基、亚芳基、杂亚芳基或通过单键连接的2-6个亚芳基所形成的基团；或者，Ar为亚乙烯基、亚乙炔基、亚芳基、杂亚芳基或通过单键连接的2-6个亚芳基中的一个或多个碳原子被氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代，氢原子被卤原子、氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代形成的基团。

3.根据权利要求1所述的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述Ar为苯并噻二唑、苯并三唑、萘并噻二唑、萘并三唑、吡咯并吡咯二酮、靛蓝、异靛蓝、喹喔啉、萘二酰亚胺、苝二酰亚胺、噻吩并酰亚胺或喹喔啉。

4.根据权利要求1所述的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述Ar为以下结构中的一种：

其中，R为氢或具有1～30个碳原子的烷基；或者为具有以下结构的烷基：烷基中一个或多个碳原子被氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代，氢原子被卤原子、氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代。

5.根据权利要求1所述的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述π为苯、萘、噻吩、并噻吩、硒吩、碲吩、呋喃、吡咯、噻咯、噻唑、恶唑或三唑。

6.根据权利要求1所述的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述π为以下结构中的一种：

其中，R为氢或具有1～30个碳原子的烷基；或者为具有以下结构的烷基：烷基中一个或多个碳原子被氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代，氢原子被卤原子、氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代。

7.根据权利要求1所述的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述R₁为具有1到30碳原子数的烷基链，其中，烷基链中的一个或多个碳原子被氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代，氢原子被卤原子被氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代。

8.根据权利要求1～7任意一项所述有机半导体材料的制备方法得到的有机半导体材料在有机光电器件中的应用。