[发明专利]鳍式场效应晶体管的掺杂方法

权利要求书

1.一种掺杂鳍式场效应晶体管的方法，包括：

提供一基板，该基板包括一第一装置区、一第二装置区、及一半导体鳍板形成于该基板的一表面上，其中该半导体鳍板具有一顶表面及侧壁且形成在该第二装置区中；

形成硬掩模覆盖该第一装置区；

沉积一包括掺质的富掺质层于该半导体鳍板的该顶表面及侧壁上，其中在该富掺质层中掺质的原子百分比大于90％，其中经由一机台形成该富掺质层，该机台包括一DC电源，该DC电源的输出偏压介于0kV至2kV之间；

沉积一盖层在该富掺质层上，其中该盖层的厚度介于30埃至300埃之间，并且在温度低于300℃下沉积该盖层；以及

该基板回火以将该掺质由该富掺质层趋入该半导体鳍板中，进行该回火时该半导体鳍板没有被该硬掩模覆盖，而该第一装置区被该硬掩模覆盖且没有该富掺质层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该富掺质层主要以掺质组成。

3.如权利要求1所述的方法，其中该掺质包括硼、铟、磷或砷。

4.如权利要求1所述的方法，其中在该回火在该半导体鳍板中形成一轻掺杂源极/漏极区。

5.如权利要求1所述的方法，其中该盖层包括氧化硅、氮化硅或碳化硅。

6.一种掺杂鳍式场效应晶体管的方法，包括：

形成一硬掩模覆盖一基板的一第一半导体鳍板而露出该基板的一第二半导体鳍板；

沉积一包括掺质富掺质层在该第二半导体鳍板的一顶表面及侧壁上，其中在该富掺质层中掺质的原子百分比大于90％，其中经由一机台形成该富掺质层，该机台包括一DC电源，该DC电源的输出偏压介于0kV至2kV之间；

沉积一盖层以覆盖该富掺质层，其中该盖层的厚度介于30埃至300埃之间，并且在温度低于300℃下沉积该盖层；以及

进行一回火工艺以将该掺质由该富掺质层趋入该第二半导体鳍板中，进行该回火时该半导体鳍板没有被该硬掩模覆盖，而第一装置区被该硬掩模覆盖且没有该富掺质层。

7.如权利要求6所述的方法，更包括：

形成另外一硬掩模覆盖该第二半导体鳍板而露出该第一半导体鳍板；

沉积包含另一掺质的另一富掺质层在该第一半导体鳍板的该顶表面及该侧壁上，其中该另一掺质及在该第二半导体鳍板的该掺质为相反类型；

沉积另外一盖层以覆盖该另外富掺质层；以及

进行另一回火工艺以将该另一的掺质趋入该第一半导体鳍板中。

8.一种掺杂鳍式场效应晶体管的方法，包括：

提供一基板，该基板包括一第一装置区、一第二装置区、及一半导体鳍板形成于该基板的一表面上，其中该半导体鳍板具有一顶表面及侧壁且形成在该第二装置区中；

形成硬掩模覆盖该第一装置区；

沉积一包括掺质的富掺质层于该半导体鳍板的该顶表面及侧壁上，其中在该富掺质层中掺质的原子百分比大于90％，其中经由一机台形成该富掺质层，该机台包括一DC电源，该DC电源的输出偏压介于0kV至2kV之间；

沉积一盖层在该富掺质层上；以及

该基板回火以将该掺质由该富掺质层趋入该半导体鳍板中，进行该回火时该半导体鳍板没有被该硬掩模覆盖，而该第一装置区被该硬掩模覆盖且没有该富掺质层。

9.如权利要求8所述的方法，其中以等离子强化原子层沉积形成该盖层。