[发明专利]基于表面氧化法制备太阳能电池背电极钝化层的工艺

权利要求书

1.一种采用表面氧化法制备的钝化背电极，其特征在于，包括：

衬底；

缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，使电极与衬底形成良好的接触；

导电层，该导电层制作在缓冲层上，是收集载流子，导电的主要部分；

钝化层，制作在导电层上，通过反应溅射形成氧化物掺杂，与吸收层形成良好接触。

2.如权利要求1所述的采用表面氧化法制备的钝化背电极，其特征在于，其中钝化层是在工作气体Ar中通入与Ar的比例为20-50％的氧气，通过反应溅射在Mo层中引入氧化钼掺杂，生长的厚度为10-300nm。

3.如权利要求1所述的采用表面氧化法制备的钝化背电极，其特征在于，其中导电层是在低气压下生长的，具有致密微观结构和小电阻的Mo薄膜,其厚度在50-500nm之间。

4.如权利要求1所述的采用表面氧化法制备的钝化背电极，其特征在于，其中缓冲层是在高气压下生长的，具有粗糙疏松微观结构和大电阻的Mo薄膜，其厚度在100-1000nm之间。

5.如权利要求1所述的基于CIGS薄膜电池的复合背电极，其三层Mo薄膜组成的复合背电极是在同一磁控溅射设备中使用同一个靶，采用不同工艺参数连续制作的。