[发明专利]半导体晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及沿着半导体晶片的间隔道形成分割槽的半导体晶片的加工方法。

背景技术

对于由格子状的间隔道划分而形成IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)等器件的半导体晶片，通过在间隔道处进行沿纵横切削的切割，而将所述半导体晶片分割成一个个的器件等半导体芯片。器件及间隔道由在半导体晶片中的半导体基板的表面上层叠的层叠体形成。层叠体例如是通过层叠Low-k膜(低介电常数绝缘膜)和形成电路的功能膜而形成的。

近期，为了保护器件，在器件及间隔道的表面覆盖有由SiO₂、SiF、SiON、SiO(Si_xO_y)等氧化物构成的被称作钝化膜的保护膜的半导体晶片正在实用化。当对所述半导体晶片中的半导体基板照射具有吸收性的波长(355nm)的激光光线时，达到带隙能量而破坏原子的结合力，从而进行烧蚀加工。如果在器件及间隔道的表面覆盖有由氧化物构成的钝化膜，则透过了钝化膜的激光光线在半导体基板上进行烧蚀加工，从而存在从内部破坏钝化膜这样的问题。因此，例如在专利文献1中，提出了如下加工方法：照射对于钝化膜具有吸收性的激光光线，在将钝化膜去除后进行分割加工。

专利文献1：日本特开2013-102039号公报

然而，在半导体晶片的层叠体上覆盖有玻璃钝化膜的情况下，在专利文献1中的激光光线的照射条件下，激光光线会透过玻璃钝化膜。因此，透过的激光光线会对由玻璃钝化膜保护的层叠体等进行烧蚀加工，从而存在从半导体晶片的内部破坏玻璃钝化膜这样的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成，其目的在于提供一种半导体晶片的加工方法，其抑制了激光光线透过玻璃钝化膜而从内部破坏该玻璃钝化膜这样的情况，并能够沿着间隔道形成分割槽。

本发明的半导体晶片的加工方法是在半导体晶片上沿着间隔道形成分割槽的加工方法，在该半导体晶片中，利用形成为格子状的多条间隔道划分出多个器件，所述多个器件由在半导体基板的表面层叠的含有绝缘膜和功能膜的层叠体形成，并且，在器件及间隔道的表面覆盖形成有玻璃钝化膜，该半导体晶片的加工方法的特征在于，所述半导体晶片的加工方法包括如下工序：钝化膜切断槽形成工序，从玻璃钝化膜侧沿着间隔道照射对于玻璃钝化膜具有吸收性的波长的CO₂激光光线，沿着间隔道去除玻璃钝化膜而形成切断槽；和分割槽形成工序，在实施了钝化膜切断槽形成工序后，沿着切断槽照射对于层叠体具有吸收性的波长的激光光线，沿着间隔道去除层叠体而形成分割槽。

根据该方法，在钝化膜切断槽形成工序中，由于照射了仅对于玻璃钝化膜具有吸收性的波长的CO₂激光光线，因此能够抑制所述CO₂激光光线透过玻璃钝化膜。从而，能够抑制被玻璃钝化膜覆盖的层叠体由于CO₂激光光线的照射而被烧蚀加工这一情况。由此，能够防止从内部破坏玻璃钝化膜，并能够沿着间隔道去除玻璃钝化膜而形成切断槽，然后，能够在切断槽处形成分割槽。

优选的是，在本发明的半导体晶片的加工方法中，在钝化膜切断槽形成工序中照射的CO₂激光光线的波长被设定为9.4μm至10.6μm

根据本发明，抑制了激光光线透过玻璃钝化膜而从内部破坏该玻璃钝化膜这样的情况，并能够沿着间隔道形成分割槽。

附图说明

图1是适合于实施本发明的半导体晶片的加工方法的加工装置的立体图。

图2的A是本实施方式的半导体晶片被支承于框架的状态的立体图，图2的B是半导体晶片的主要部分放大剖视图。

图3的A是构成上述加工装置的第1激光光线照射构件的模块结构图，图3的B是构成上述加工装置的第2激光光线照射构件的模块结构图。

图4的A及图4的B是示出本实施方式的钝化膜切断槽形成工序的一例的图。

图5的A及图5的B是示出本实施方式的分割槽形成工序的一例的图。

标号说明

1：加工装置；

D：器件；

Lc：CO₂激光光线；

Ly：脉冲激光光线；

M1：切断槽；

m2：分割槽；

ST：间隔道；

W：半导体晶片；

W1：半导体基板；

W2：层叠体；

W3：玻璃钝化膜。

具体实施方式