[发明专利]电场增强元件、拉曼光谱法、拉曼光谱装置及电子设备

权利要求书

1.一种电场增强元件，其特征在于，包括：

金属细微构造层，包含尺寸小于入射光的波长的金属细微构造而构成；

反射镜层，反射通过所述金属细微构造层的光；

磁光学材料层，设置于所述金属细微构造层和所述反射镜层之间，并产生法拉第效应和科顿-穆顿效应中至少一个；以及

磁场产生单元，对所述磁光学材料层施加磁场。

2.根据权利要求1所述的电场增强元件，其特征在于，

所述磁场产生单元包含线圈。

3.根据权利要求1或2所述的电场增强元件，其特征在于，

所述磁场产生单元包含永久磁铁。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电场增强元件，其特征在于，

还包括流路，所述流路能够使包含目标物质的试料与所述金属细微构造层接触。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电场增强元件，其特征在于，

对所述磁光学材料层的磁场的施加方向是与光对所述磁光学材料层的入射方向相同的方向，或者与所述入射方向正交的方向。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电场增强元件，其特征在于，

所述磁光学材料层具有石榴石型的结晶构造，用组成式R_3-xBi_xFe_5-yA_yO₁₂表示，

组成式中，

R表示从钪(Sc)、钇(Y)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)以及镥(Lu)中选择的至少一种元素，

Bi表示铋，

Fe表示铁，

A表示镓(Ga)以及铝(Al)中的至少一种元素，O表示氧，

x以及y分别在0≤x＜3以及0≤y＜5的范围内。

7.一种拉曼光谱法，其特征在于，

用于分析目标物质，

所述拉曼光谱法包括：

使所述目标物质吸附于权利要求1至6中任一项所述的电场增强元件的所述金属细微构造层的工序；

对所述磁光学材料层施加磁场、从所述金属细微构造层侧照射所述入射光、检测从所述电场增强元件反射的光、并决定所述电场增强元件中的反射率为极小的所述磁场的工序；以及

根据在对所述磁光学材料层施加极小的所述磁场的状态下检测到的光，分析所述目标物质的工序。

8.一种拉曼光谱装置，其特征在于，

用于分析目标物质，

所述拉曼光谱装置包括：

权利要求1至6中任一项所述的电场增强元件；

光源，对所述目标物质吸附的所述金属细微构造层照射所述入射光；以及

光检测器，检测从所述电场增强元件反射的光。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

权利要求8所述的拉曼光谱装置；

运算部，根据来自所述光检测器的检测信息运算健康医疗信息；

存储部，存储所述健康医疗信息；以及

显示部，显示所述健康医疗信息。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，

所述健康医疗信息包含与选自细菌、病毒、蛋白质、核酸以及抗原/抗体中的至少一种生物体关联物质、或者选自无机分子以及有机分子中的至少一种化合物的有无或者数量相关的信息。