[发明专利]一种双核钴(II)一维带状配位聚合物及其制备方法

权利要求书

1.一种双核钴(II)一维带状配位聚合物，其结构式如下：

[Co₂(4，4’-bpy)₂(L)₄]；

所述的4，4’-bpy为4，4’-联吡啶，L为二氟苯甲酸根；

每个Co(II)原子与来自3个2-氟苯甲酸的4个氧原子和来自2个4，4’-bpy的2个氮原子配位，构成了稍有畸变的六配位CoN₂O₄八面体配位环境；

2个2-氟苯甲酸根离子桥联2个Co(II)原子构成了双核钴节点，d(Co(1)–Co(1)ⁱ)=0.4089(1)nm，所述的i=1-x，2-y，1-z；

2个4，4’-联吡啶分子分别桥联2个Co(II)节点，形成了沿[101]方向无限延伸的一维聚合带；其键长和键角为d(Co–O)=0.2010(2)–0.21948(2)nm，d(Co–N)=0.2159(2)–0.2111(2)nm，Ð(N(1)–Co(1)–N(2))=179.51(1)°；

同一节点上的4个2-氟苯甲酸根离子根据配位方式分为桥联和双齿配位2组，双齿配位组位于2个钴原子的连接线上，桥联组与双齿配位组互相垂直并由4，4’-bpy分子进一步桥联构成一维聚合带；

带与带之间相互错开，先由4，4’-bpy的C2和C7与2-氟苯甲酸根的O3ⁱⁱ原子之间的C—H…O弱氢键作用形成二维超分子平面，ii=1-x，2-y，-z；层与层之间由2-氟苯甲酸根的C23与羧基O4ⁱⁱⁱ原子之间的C—H…O弱氢键作用构成了三维超分子网络结构，iii=1-x，1/2+y，1/2-z；d(C–H)…O=0.3303(3)–0.3390nm，Ð(C–H…O)=159–171°。

2.一种制备权利要求1所述的双核钴(II)一维带状配位聚合物的制备方法，该方法包括以下的步骤：

1）取CoCO₃，2-氟苯甲酸，4，4’-联吡啶，与CH₃OH/H₂O混合溶剂混和搅拌1.5~3.0小时，CH₃OH与H₂O的体积比为1:1.5~1:3，再把所得的粉红色悬浮液封入内衬聚四氟乙烯的不锈钢反应釜中，填充度60-80%，最后将反应釜置于150~165℃的烘箱内保温一周；

2）自然冷却至室温，过滤除去棕色不溶物，残渣中发现紫红色片状晶体；

3）所得淡粉色滤液置于室温下自然蒸发，一个月后得到适用于单晶测试的紫红色晶体；

4）用蒸馏水洗涤后自然干燥。