[发明专利]一种锂离子电池硅碳纳米管复合负极材料制备方法有效

专利信息
申请号: 201510035101.7 申请日: 2015-01-23
公开(公告)号: CN104617261B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 宋宏芳;赵东辉;戴涛;周鹏伟 申请(专利权)人: 福建翔丰华新能源材料有限公司
主分类号: H01M4/1393 分类号: H01M4/1393;H01M4/1395;B82Y40/00
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司35203 代理人: 徐勋夫
地址: 366011 福建省永安市贡*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 锂离子电池 纳米 复合 负极 材料 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及硅碳材料领域技术,尤其是指一种锂离子电池硅碳纳米管复合负极材料制备方法。

背景技术

目前,商业化的锂离子电池的负极材料主要使用石墨材料,但是石墨材料的理论容量低(372 mAh/g),无法满足高比容量锂离子的需求。硅因具有非常高的理论比容量(约4200 mAh/g)而受到越来越多的关注,它被认为是最有可能替代石墨负极的材料之一,然而硅基负极却迟迟未投入到商业化使用中。这是因为硅在嵌/脱锂过程中会产生约300 %的体积膨胀/收缩,巨大的体积变化会造成硅电极的粉化剥落,使娃颗粒之间以及硅与集流体之间失去电接触,电极的比容量急剧下降甚至完全失效。针对硅材料的严重体积效应,研究者们广泛采用对其进行改性以提高循环性能,其中一个有效的方法就是制备硅碳复合材料,利用复合材料各组分间的协同效应,一方面抑制硅颗粒的粉化,另一方面避免充放电过程中可能发生的硅颗粒团聚现象。专利 CN1909266A公开了一种具有纳米多孔结构的硅铜碳复合材料,由高能球磨法制备。该材料表现出良好的充放电循环稳定性,但是高能球磨法耗能高,费时,不利于大规模工业化生产。专利CN 102694155A 公开了一种硅碳复合材料及其制备方法及使用该材料制备的锂离子电池。该硅碳复合材料的制备方法包括以下步骤 :

(1)将一氧化硅制得的二氧化硅包覆纳米硅的复合材料、多孔性碳基体材料、过量的氢氟酸溶液混合,得到多孔性碳基体材料孔隙间复合有纳米硅粒子的复合材料 ;(2)用高分子聚合物包覆多孔性碳基体材料孔隙间复合有纳米硅粒子的复合材料,在惰性气氛下,加热得到多孔碳球包覆的硅碳复合材料。该硅碳复合材料虽在一定程度上缓解活性颗粒在充放电过程中的粉化脱落现象,体积膨胀效应有所改善,但是该材料循环性能仍欠佳,且首次充放电效率只有 70% 左右,无法满足商品化要求。碳纳米管(CNTs)具有良好的导电性能和机械强度,通过碳纳米管与纳米硅材料复合将有利于增强活性物质之间的电接触和交联强度,从而有效改善纳米硅基材料的导电性和颗粒之间的膨胀缓冲空间,对提高硅基材料首次效率和改进循环稳定性具有重要的促进作用。目前,研究人员将多壁碳纳米管与纳米硅进行简单的机械球磨而得硅碳纳米管复合材料,这种球磨只是将纳米硅颗粒和碳纳米管简单的机械混合,且在球磨过程中易破坏原料的形貌结构,能耗很高。

因此,开发一种工艺简单、循环性能与倍率充放电性能好、首次充放电效率高、制备成本低廉的锂离子电池负极材料制备方法是所属领域的技术难题。

发明内容

有鉴于此,本发明针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种锂离子电池硅碳纳米管复合负极材料制备方法,其能有效解决

为实现上述目的,本发明采用如下之技术方案:

一种锂离子电池硅碳纳米管复合负极材料制备方法,包括有以下步骤:

(1)分散:将纳米硅、分散剂、碳源和催化剂分散于溶剂中,超声0.5~2h,得到混合浆料,碳源和纳米硅的质量比为0.2~5:1,催化剂用量为纳米硅质量的0.5%~2%,分散剂用量为纳米硅质量的 0.5%~1%;

(2)研磨:将混合浆料使用砂磨机研磨1~5 h,研磨速度为500~2500 r/min,然后加入溶剂调节混合浆料的固体质量含量至5~40%;

(3)干燥:将研磨过的混合浆料使用喷雾干燥机干燥成粉,喷雾干燥进风温度为150~300 ℃,出风温度为100~150 ℃,恒流泵转度 50~100 r/min;

(4)微波加热:将步骤(3)得到的粉体移至压力为1~50 mPa高压反应釜中,然后将反应釜放置在功率为600~2000w 的微波炉中,加热10~600s,冷却至室温,得到所述锂电池硅碳纳米管复合负极材料。

作为一种优选方案,所述碳源为葡萄糖、蔗糖、酚醛树脂、糠醛树脂或高温沥青。

作为一种优选方案,所述催化剂为硝酸镍、硫酸镍、硝酸铁、二茂铁或者纳米铁中的一种或者多种。

作为一种优选方案,所述溶剂为无水乙醇、乙醇、乙二醇和四氢呋喃中的一种或多种。

作为一种优选方案,所述分散剂为聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯亚胺或十二烷基硫酸钠中的一种或多种。

作为一种优选方案,所述纳米硅的粒径为 50~200 nm。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果,具体而言,由上述技术方案可知:

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