[发明专利]沟槽型超级结器件的版图结构及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型超级结器件的版图结构，是在每个晶粒中具有多个用于形成立柱的沟槽，其特征是，相邻且平行的沟槽作为一个沟槽阵列，相邻的沟槽阵列的排列方向相互垂直；

栅极覆盖所有沟槽阵列且所述栅极只平行于其中一个沟槽阵列的排列方向；

沟槽型超级结器件还包括覆盖所有沟槽阵列的离子注入区，所形成的离子注入区平行于至少一个沟槽阵列而垂直于至少另一个沟槽阵列。

2.根据权利要求1所述的沟槽型超级结器件的版图结构，其特征是，横向相邻的沟槽阵列的排列方向相互垂直，纵向相邻的沟槽阵列的排列方向也相互垂直。

3.根据权利要求1所述的沟槽型超级结器件的版图结构，其特征是，所述沟槽阵列为相同或不同大小的正方形或长方形。

4.根据权利要求1所述的沟槽型超级结器件的版图结构，其特征是，所述沟槽型超级结器件包括超级结MOSFET、超级结JFET、超级结肖特基二极管、超级结IGBT。

5.根据权利要求1所述的沟槽型超级结器件的版图结构，其特征是，所述沟槽阵列之间的间距等同于所述沟槽的间距。

6.一种沟槽型超级结器件的制造方法，其特征是，已形成的超级结结构是在每个晶粒中具有两个以上的沟槽阵列，每个沟槽阵列由相邻且平行的沟槽所组成，相邻的沟槽阵列的排列方向相互垂直；

所述方法包括以离子注入工艺形成覆盖所有沟槽阵列的离子注入区，所形成的离子注入区平行于至少一个沟槽阵列而垂直于至少另一个沟槽阵列；最终在所有沟槽阵列上均形成超级结器件，栅极只平行于其中一个沟槽阵列的排列方向。

7.根据权利要求6所述的沟槽型超级结器件的制造方法，其特征是，所述方法还包括以淀积和光刻、刻蚀工艺形成覆盖所有沟槽阵列的栅极，所形成的栅极平行于所述覆盖所有沟槽阵列的离子注入区的方向。