[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201510032635.4 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104617192B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张武斌;韩杰;周飚;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/28;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片的制造方法，适用于4inch、6inch、8inch的大尺寸外延片，其特征在于，所述制造方法包括：
依次在衬底上生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、有源层、P型电子阻挡层、P型GaN层；
其中，所述非掺杂GaN层和所述N型GaN层的生长压力为10torr，所述非掺杂GaN层的厚度为1.0μm，所述N型GaN层的厚度为1.0μm。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述非掺杂GaN层和所述N型GaN层的生长压力为10～90torr。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述非掺杂GaN层和所述N型GaN层的生长速率为2.0～6.0μm/h。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，生长所述非掺杂GaN层时，所述非掺杂GaN层的生长速率保持不变，或者，逐渐变快。
5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，生长所述N型GaN层时，所述N型GaN层的生长速率保持不变，或者，逐渐变快。
6.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，Ga源流量为200～1000sccm。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，生长所述非掺杂GaN层时，Ga源流量保持不变，或者，逐渐变多。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，生长所述N型GaN层时，Ga源流量保持不变，或者，逐渐变多。
9.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述N型GaN层N型掺杂的浓度为10-e18～10-e21每立方厘米。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，生长所述N型GaN层时，N型掺杂的浓度保持不变，或者，逐渐变多。
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